| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| 1.1 Kane-Mele模型 | 第7-10页 |
| 1.2 二维HgTe/CdTe量子阱 | 第10-11页 |
| 1.3 三维拓扑绝缘体 | 第11-16页 |
| 1.4 Z_2拓扑数 | 第16-18页 |
| 第二章 计算方法 | 第18-25页 |
| 2.1 多体系统哈密顿量 | 第18-19页 |
| 2.2 Born-Oppenheimer绝热近似 | 第19-20页 |
| 2.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第20-21页 |
| 2.4 Kohn-sham方程 | 第21-22页 |
| 2.5 交换关联泛函 | 第22-25页 |
| 第三章 Bi/graphene/Bi,Sb/graphene/Sb体系的电子结构和Z_2不变量 | 第25-30页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 Bi/graphene/Bi体系 | 第25-27页 |
| 3.3 Sb/graphene/Sb体系 | 第27-30页 |
| 第四章 总结与展望 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-34页 |
| 致谢 | 第34页 |