| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 拓扑绝缘体的基本概念 | 第10-11页 |
| 1.2 拓扑绝缘体发展 | 第11-16页 |
| 1.2.1 量子霍尔效应 | 第11-12页 |
| 1.2.2 二维拓扑绝缘体 | 第12-14页 |
| 1.2.3 三维拓扑绝缘体 | 第14-16页 |
| 1.3 拓扑绝缘体的研究进展 | 第16-20页 |
| 第二章 样品生长及器件制备 | 第20-32页 |
| 2.1 材料生长 | 第20-26页 |
| 2.1.1 VLS生长机理 | 第20-21页 |
| 2.1.2 化学气相沉积法生长Bi_2Se_3纳米线 | 第21-25页 |
| 2.1.3 Sb掺杂Bi_2Se_3纳米线生长 | 第25-26页 |
| 2.2 器件的微纳加工 | 第26-32页 |
| 2.2.1 微纳加工工艺流程及设备介绍 | 第26-28页 |
| 2.2.2 欧姆接触电极的制作 | 第28-30页 |
| 2.2.3 栅极电极及绝缘层制备 | 第30-32页 |
| 第三章 拓扑绝缘体纳米线栅压调控探究 | 第32-44页 |
| 3.1 栅压调控化学式理论模型 | 第32-34页 |
| 3.2 不同维度材料载流子浓度的测量 | 第34-39页 |
| 3.2.1 三维体系载流子浓度测量及估算 | 第34-36页 |
| 3.2.2 二维体系载流子浓度测量 | 第36-37页 |
| 3.2.3 一维体系载流子浓度测量及估算 | 第37-39页 |
| 3.3 高效的栅压调控化学势探究 | 第39-44页 |
| 第四章 Sb掺杂Bi_2Se_3纳米线场效应管1/f噪声测量 | 第44-59页 |
| 4.1 噪声介绍 | 第44-45页 |
| 4.2 噪声的分类 | 第45-49页 |
| 4.2.1 闪烁噪声(1/f噪声) | 第45-47页 |
| 4.2.2 散射噪声 | 第47-48页 |
| 4.2.3 热噪声 | 第48页 |
| 4.2.4 脉冲噪声 | 第48-49页 |
| 4.3 噪声测量系统 | 第49-53页 |
| 4.3.1 直流电源滤波 | 第50-52页 |
| 4.3.2 电流前置放大器 | 第52页 |
| 4.3.3 电压前置放大器 | 第52-53页 |
| 4.4 纳米线场效应管1/f噪声测量 | 第53-59页 |
| 第五章 低温磁输运测量研究 | 第59-68页 |
| 5.1 反弱局域效应 | 第59-60页 |
| 5.2 异常磁滞现象 | 第60-68页 |
| 5.2.1 磁阻测量 | 第60-62页 |
| 5.2.2 结果与讨论 | 第62-68页 |
| 第六章 总结与展望 | 第68-71页 |
| 6.1 全文工作总结 | 第68-69页 |
| 6.2 本文工作不足与进一步工作展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |