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拓扑绝缘体纳米线低温电子输运性质的研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-20页
    1.1 拓扑绝缘体的基本概念第10-11页
    1.2 拓扑绝缘体发展第11-16页
        1.2.1 量子霍尔效应第11-12页
        1.2.2 二维拓扑绝缘体第12-14页
        1.2.3 三维拓扑绝缘体第14-16页
    1.3 拓扑绝缘体的研究进展第16-20页
第二章 样品生长及器件制备第20-32页
    2.1 材料生长第20-26页
        2.1.1 VLS生长机理第20-21页
        2.1.2 化学气相沉积法生长Bi_2Se_3纳米线第21-25页
        2.1.3 Sb掺杂Bi_2Se_3纳米线生长第25-26页
    2.2 器件的微纳加工第26-32页
        2.2.1 微纳加工工艺流程及设备介绍第26-28页
        2.2.2 欧姆接触电极的制作第28-30页
        2.2.3 栅极电极及绝缘层制备第30-32页
第三章 拓扑绝缘体纳米线栅压调控探究第32-44页
    3.1 栅压调控化学式理论模型第32-34页
    3.2 不同维度材料载流子浓度的测量第34-39页
        3.2.1 三维体系载流子浓度测量及估算第34-36页
        3.2.2 二维体系载流子浓度测量第36-37页
        3.2.3 一维体系载流子浓度测量及估算第37-39页
    3.3 高效的栅压调控化学势探究第39-44页
第四章 Sb掺杂Bi_2Se_3纳米线场效应管1/f噪声测量第44-59页
    4.1 噪声介绍第44-45页
    4.2 噪声的分类第45-49页
        4.2.1 闪烁噪声(1/f噪声)第45-47页
        4.2.2 散射噪声第47-48页
        4.2.3 热噪声第48页
        4.2.4 脉冲噪声第48-49页
    4.3 噪声测量系统第49-53页
        4.3.1 直流电源滤波第50-52页
        4.3.2 电流前置放大器第52页
        4.3.3 电压前置放大器第52-53页
    4.4 纳米线场效应管1/f噪声测量第53-59页
第五章 低温磁输运测量研究第59-68页
    5.1 反弱局域效应第59-60页
    5.2 异常磁滞现象第60-68页
        5.2.1 磁阻测量第60-62页
        5.2.2 结果与讨论第62-68页
第六章 总结与展望第68-71页
    6.1 全文工作总结第68-69页
    6.2 本文工作不足与进一步工作展望第69-71页
参考文献第71-76页
攻读硕士学位期间取得的科研成果第76-77页
致谢第77页

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