| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 文献综述 | 第12-32页 |
| 1.1 甲基葡萄糖苷的性质与应用 | 第12页 |
| 1.2 活性MnO_2与微波辐射的性质与应用 | 第12-14页 |
| 1.2.1 活性MnO_2的性质与应用 | 第12-13页 |
| 1.2.2 微波辐射的性质与应用 | 第13-14页 |
| 1.3 葡萄糖醛酸及葡萄糖醛酸内酯的性质与应用 | 第14-18页 |
| 1.3.1 葡萄糖醛酸及葡萄糖醛酸内酯的性质 | 第14-16页 |
| 1.3.2 葡萄糖醛酸及葡萄糖醛酸内酯的用途 | 第16-17页 |
| 1.3.3 葡萄糖醛酸及葡萄糖醛酸内酯的生产现状及应用前景 | 第17-18页 |
| 1.4 葡萄糖醛酸及葡萄糖醛酸内酯的生产制备方法 | 第18-26页 |
| 1.4.1 生物发酵法 | 第19页 |
| 1.4.2 多糖水解法 | 第19-20页 |
| 1.4.3 化学氧化法 | 第20-26页 |
| 1.5 葡萄糖醛酸的分析检测方法 | 第26-28页 |
| 1.6 本课题的研究目及意义 | 第28-32页 |
| 第2章 实验条件和实验过程 | 第32-40页 |
| 2.1 主要试剂及仪器设备 | 第32-34页 |
| 2.1.1 主要试剂 | 第32-33页 |
| 2.1.2 主要仪器设备 | 第33-34页 |
| 2.2 活性二氧化锰的制备 | 第34页 |
| 2.3 活性二氧化锰的表征 | 第34-35页 |
| 2.3.1 XPS表征测试 | 第34页 |
| 2.3.2 XRD表征测试 | 第34-35页 |
| 2.3.3 N2吸附脱附表征测试 | 第35页 |
| 2.3.4 SEM表征测试 | 第35页 |
| 2.3.5 热重分析表征测试 | 第35页 |
| 2.4 葡萄糖醛酸的合成 | 第35-36页 |
| 2.4.1 氧化反应 | 第35-36页 |
| 2.4.2 水解反应 | 第36页 |
| 2.5 产物的分析测定 | 第36-38页 |
| 2.5.1 产物的定量分析 | 第37-38页 |
| 2.5.2 产物的定量分析的准确性 | 第38页 |
| 2.6 葡萄糖醛酸收率的计算 | 第38-40页 |
| 第3章 活性二氧化锰的制备表征及其对葡醛酸氧化的研究 | 第40-56页 |
| 3.1 活性二氧化锰的制备 | 第40页 |
| 3.2 不同因素对一级氧化反应的影响研究 | 第40-43页 |
| 3.2.1 反应温度对一级氧化反应的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.2 反应时间对一级氧化反应的影响 | 第41-42页 |
| 3.2.3 原料和氧化剂质量比对一级氧化反应的影响 | 第42-43页 |
| 3.3 二级氧化及水解反应 | 第43页 |
| 3.4 醛酸产物的检测 | 第43-44页 |
| 3.5 小结 | 第44-45页 |
| 3.6 活性二氧化锰的表征结果及讨论 | 第45-54页 |
| 3.6.1 XPS表征 | 第45-47页 |
| 3.6.2 XRD表征 | 第47-48页 |
| 3.6.3 N_2吸附脱附测试及SEM表征 | 第48-52页 |
| 3.6.4 TGA表征 | 第52-54页 |
| 3.7 不同温度下制备的MnO_2对一级氧化反应的影响 | 第54-55页 |
| 3.8 本章小结 | 第55-56页 |
| 第4章 活性二氧化锰的焙烧及其对葡醛酸氧化的研究 | 第56-64页 |
| 4.1 焙烧后的活性二氧化锰的表征结果及讨论 | 第56-61页 |
| 4.1.1 XRD表征 | 第56-57页 |
| 4.1.2 N_2吸附脱附测试及SEM表征 | 第57-60页 |
| 4.1.3 TGA表征 | 第60-61页 |
| 4.2 不同温度下制备的MnO_2焙烧后对一级氧化反应的影响 | 第61-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 第5章 二级氧化反应讨论及水解反应 | 第64-68页 |
| 5.1 二级氧化反应的影响因素讨论 | 第64-67页 |
| 5.1.1 反应温度对二级氧化反应的影响 | 第64-65页 |
| 5.1.2 反应时间对二级氧化反应的影响 | 第65-66页 |
| 5.1.3 H_2O_2的用量对二级氧化反应的影响 | 第66-67页 |
| 5.2 水解反应 | 第67页 |
| 5.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 第6章 结论与建议 | 第68-70页 |
| 6.1 结论 | 第68-69页 |
| 6.2 建议 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 攻读硕士期间论文发表情况 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
