| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-35页 |
| 1.1 激光惯性约束聚变 | 第10-12页 |
| 1.1.1 激光惯性约束聚变的研究背景 | 第10页 |
| 1.1.2 激光惯性约束聚变靶材料的选择 | 第10-12页 |
| 1.2 a-C:H薄膜材料在惯性约束聚变中的应用 | 第12-18页 |
| 1.2.1 ICF靶丸的烧蚀层材料 | 第12-13页 |
| 1.2.2 a-C:H薄膜的结构特点 | 第13-15页 |
| 1.2.3 a-C:H薄膜在靶丸设计中的作用与意义 | 第15-17页 |
| 1.2.4 a-C:H薄膜材料的要求 | 第17-18页 |
| 1.3 制备a-C:H薄膜的常用技术 | 第18-21页 |
| 1.3.1 物理气相沉积法 | 第18-20页 |
| 1.3.2 化学气相沉积法 | 第20-21页 |
| 1.4 电感耦合等离子体源概述 | 第21-25页 |
| 1.4.1 电感耦合等离子体的基本原理 | 第21-24页 |
| 1.4.2 电感耦合等离子体的特点 | 第24页 |
| 1.4.3 电感耦合等离子体的应用 | 第24-25页 |
| 1.5 a-C:H薄膜的研究进展 | 第25-32页 |
| 1.5.1 国外a-C:H薄膜的研究现状 | 第25-29页 |
| 1.5.2 国内a-C:H薄膜的研究现状 | 第29-32页 |
| 1.6 本文的选题依据与研究内容 | 第32-35页 |
| 1.6.1 本文选题依据 | 第32-33页 |
| 1.6.2 本文研究内容 | 第33-35页 |
| 第二章 辉光放电聚合物薄膜的制备原理与研究方法 | 第35-51页 |
| 2.1 引言 | 第35页 |
| 2.2 实验装置与成膜原理 | 第35-38页 |
| 2.2.1 实验装置 | 第35-36页 |
| 2.2.2 成膜原理 | 第36-38页 |
| 2.3 等离子体特征参量的诊断方法 | 第38-48页 |
| 2.3.1 静电探针诊断技术 | 第39-45页 |
| 2.3.2 质谱诊断 | 第45-48页 |
| 2.4 辉光放电聚合物薄膜的表征方法 | 第48-49页 |
| 2.4.1 膜厚测量 | 第48页 |
| 2.4.2 傅立叶变换红外吸收光谱 | 第48-49页 |
| 2.4.3 扫描电子显微镜 | 第49页 |
| 2.4.4 白光干涉仪测试 | 第49页 |
| 2.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第三章 不同构型a-C:H涂层装置中Ar等离子体状态研究 | 第51-79页 |
| 3.1 引言 | 第51页 |
| 3.2 小直径圆柱形放电腔室中Ar等离子体状态的研究 | 第51-64页 |
| 3.2.1 小直径圆柱形放电腔室中Ar等离子体的径向空间分布 | 第51-58页 |
| 3.2.2 小直径圆柱形放电腔室中Ar等离子体状态随气压的变化规律 | 第58-64页 |
| 3.3 小直径圆锥形放电腔室中Ar等离子体状态的研究 | 第64-78页 |
| 3.3.1 小直径圆锥形放电腔室中Ar等离子体的径向空间分布 | 第65-72页 |
| 3.3.2 小直径圆锥形放电腔室中Ar等离子体状态随气压的变化规律 | 第72-78页 |
| 3.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 第四章 不同构型a-C:H涂层装置中的H等离子体状态研究 | 第79-94页 |
| 4.1 引言 | 第79页 |
| 4.2 小直径圆柱形放电腔室中H等离子体状态的研究 | 第79-85页 |
| 4.2.1 小直径圆柱形放电腔室中H等离子体质谱诊断研究 | 第80-83页 |
| 4.2.2 小直径圆柱形放电腔室中H等离子体探针诊断研究 | 第83-85页 |
| 4.3 小直径圆锥形放电腔室中H等离子体状态的研究 | 第85-92页 |
| 4.3.1 小直径圆锥形放电腔室中H等离子体质谱诊断研究 | 第86-89页 |
| 4.3.2 小直径圆锥形放电腔室中H等离子体探针诊断研究 | 第89-92页 |
| 4.4 本章小结 | 第92-94页 |
| 第五章 等离子体状态对a-C:H薄膜生长的影响 | 第94-125页 |
| 5.1 引言 | 第94-95页 |
| 5.2 不同射频功率下T_2B/H_2离子体状态对薄膜生长的影响 | 第95-111页 |
| 5.2.1 实验方法与样品表征 | 第95-96页 |
| 5.2.2 射频功率对T_2B/H_2等离子体状态的影响 | 第96-99页 |
| 5.2.3 不同射频功率下a-C:H薄膜的沉积速率 | 第99-101页 |
| 5.2.4 不同射频功率下a-C:H薄膜的组分与化学结构分析 | 第101-105页 |
| 5.2.5 不同射频功率下a-C:H薄膜的表面形貌与表面粗糙度 | 第105-109页 |
| 5.2.6 不同射频功率下a-C:H薄膜生长的作用机制 | 第109-111页 |
| 5.3 不同气体流量比下T_2B/H_2等离子状态与薄膜生长的影响 | 第111-123页 |
| 5.3.1 实验方法与样品表征 | 第111-112页 |
| 5.3.2 T_2B/H_2流量比对等离子体状态的影响 | 第112-114页 |
| 5.3.3 不同T_2B/H_2流量比下a-C:H薄膜的沉积速率 | 第114-115页 |
| 5.3.4 不同T_2B/H_2流量比下a-C:H薄膜的组分与结构 | 第115-118页 |
| 5.3.5 不同T_2B/H_2流量比下a-C:H薄膜的表面形貌与表面粗糙度 | 第118-122页 |
| 5.3.6 不同T_2B/H_2流量比下a-C:H薄膜生长的作用机制 | 第122-123页 |
| 5.4 本章小结 | 第123-125页 |
| 第六章 结论与展望 | 第125-128页 |
| 6.1 结论 | 第125-126页 |
| 6.2 本论文工作的创新点摘要 | 第126页 |
| 6.3 本论文未尽事宜与工作展望 | 第126-128页 |
| 致谢 | 第128-130页 |
| 参考文献 | 第130-144页 |
| 附录 | 第144-145页 |
