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辉光放电等离子体状态对α-C:H薄膜生长规律的影响研究

摘要第3-5页
Abstract第5-7页
第一章 绪论第10-35页
    1.1 激光惯性约束聚变第10-12页
        1.1.1 激光惯性约束聚变的研究背景第10页
        1.1.2 激光惯性约束聚变靶材料的选择第10-12页
    1.2 a-C:H薄膜材料在惯性约束聚变中的应用第12-18页
        1.2.1 ICF靶丸的烧蚀层材料第12-13页
        1.2.2 a-C:H薄膜的结构特点第13-15页
        1.2.3 a-C:H薄膜在靶丸设计中的作用与意义第15-17页
        1.2.4 a-C:H薄膜材料的要求第17-18页
    1.3 制备a-C:H薄膜的常用技术第18-21页
        1.3.1 物理气相沉积法第18-20页
        1.3.2 化学气相沉积法第20-21页
    1.4 电感耦合等离子体源概述第21-25页
        1.4.1 电感耦合等离子体的基本原理第21-24页
        1.4.2 电感耦合等离子体的特点第24页
        1.4.3 电感耦合等离子体的应用第24-25页
    1.5 a-C:H薄膜的研究进展第25-32页
        1.5.1 国外a-C:H薄膜的研究现状第25-29页
        1.5.2 国内a-C:H薄膜的研究现状第29-32页
    1.6 本文的选题依据与研究内容第32-35页
        1.6.1 本文选题依据第32-33页
        1.6.2 本文研究内容第33-35页
第二章 辉光放电聚合物薄膜的制备原理与研究方法第35-51页
    2.1 引言第35页
    2.2 实验装置与成膜原理第35-38页
        2.2.1 实验装置第35-36页
        2.2.2 成膜原理第36-38页
    2.3 等离子体特征参量的诊断方法第38-48页
        2.3.1 静电探针诊断技术第39-45页
        2.3.2 质谱诊断第45-48页
    2.4 辉光放电聚合物薄膜的表征方法第48-49页
        2.4.1 膜厚测量第48页
        2.4.2 傅立叶变换红外吸收光谱第48-49页
        2.4.3 扫描电子显微镜第49页
        2.4.4 白光干涉仪测试第49页
    2.5 本章小结第49-51页
第三章 不同构型a-C:H涂层装置中Ar等离子体状态研究第51-79页
    3.1 引言第51页
    3.2 小直径圆柱形放电腔室中Ar等离子体状态的研究第51-64页
        3.2.1 小直径圆柱形放电腔室中Ar等离子体的径向空间分布第51-58页
        3.2.2 小直径圆柱形放电腔室中Ar等离子体状态随气压的变化规律第58-64页
    3.3 小直径圆锥形放电腔室中Ar等离子体状态的研究第64-78页
        3.3.1 小直径圆锥形放电腔室中Ar等离子体的径向空间分布第65-72页
        3.3.2 小直径圆锥形放电腔室中Ar等离子体状态随气压的变化规律第72-78页
    3.4 本章小结第78-79页
第四章 不同构型a-C:H涂层装置中的H等离子体状态研究第79-94页
    4.1 引言第79页
    4.2 小直径圆柱形放电腔室中H等离子体状态的研究第79-85页
        4.2.1 小直径圆柱形放电腔室中H等离子体质谱诊断研究第80-83页
        4.2.2 小直径圆柱形放电腔室中H等离子体探针诊断研究第83-85页
    4.3 小直径圆锥形放电腔室中H等离子体状态的研究第85-92页
        4.3.1 小直径圆锥形放电腔室中H等离子体质谱诊断研究第86-89页
        4.3.2 小直径圆锥形放电腔室中H等离子体探针诊断研究第89-92页
    4.4 本章小结第92-94页
第五章 等离子体状态对a-C:H薄膜生长的影响第94-125页
    5.1 引言第94-95页
    5.2 不同射频功率下T_2B/H_2离子体状态对薄膜生长的影响第95-111页
        5.2.1 实验方法与样品表征第95-96页
        5.2.2 射频功率对T_2B/H_2等离子体状态的影响第96-99页
        5.2.3 不同射频功率下a-C:H薄膜的沉积速率第99-101页
        5.2.4 不同射频功率下a-C:H薄膜的组分与化学结构分析第101-105页
        5.2.5 不同射频功率下a-C:H薄膜的表面形貌与表面粗糙度第105-109页
        5.2.6 不同射频功率下a-C:H薄膜生长的作用机制第109-111页
    5.3 不同气体流量比下T_2B/H_2等离子状态与薄膜生长的影响第111-123页
        5.3.1 实验方法与样品表征第111-112页
        5.3.2 T_2B/H_2流量比对等离子体状态的影响第112-114页
        5.3.3 不同T_2B/H_2流量比下a-C:H薄膜的沉积速率第114-115页
        5.3.4 不同T_2B/H_2流量比下a-C:H薄膜的组分与结构第115-118页
        5.3.5 不同T_2B/H_2流量比下a-C:H薄膜的表面形貌与表面粗糙度第118-122页
        5.3.6 不同T_2B/H_2流量比下a-C:H薄膜生长的作用机制第122-123页
    5.4 本章小结第123-125页
第六章 结论与展望第125-128页
    6.1 结论第125-126页
    6.2 本论文工作的创新点摘要第126页
    6.3 本论文未尽事宜与工作展望第126-128页
致谢第128-130页
参考文献第130-144页
附录第144-145页

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