| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第1章 文献综述 | 第11-30页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·TiO_2的基本性质 | 第11-13页 |
| ·TiO_2薄膜的应用 | 第13-14页 |
| ·光催化剂 | 第13页 |
| ·传感器 | 第13页 |
| ·光电解水制氢 | 第13页 |
| ·染料敏化太阳能电池 | 第13-14页 |
| ·电阻式存储器原理及研究进展 | 第14-24页 |
| ·电阻式存储器工作原理及优点 | 第14-15页 |
| ·电阻开关效应分类 | 第15-16页 |
| ·电阻式存储器材料及其类型 | 第16-19页 |
| ·电阻开关效应机制 | 第19-22页 |
| ·电流传导机制 | 第22-24页 |
| ·TiO_2电阻开关的国内外研究现状 | 第24-26页 |
| ·TiO_2薄膜的制备工艺 | 第26-28页 |
| ·化学气相沉积 | 第27页 |
| ·离子束辅助沉积 | 第27页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第27-28页 |
| ·反应蒸发法 | 第28页 |
| ·磁控溅射 | 第28页 |
| ·本课题研究意义及研究内容 | 第28-30页 |
| ·研究意义 | 第28-29页 |
| ·研究内容 | 第29-30页 |
| 第2章 薄膜的制备及其表征技术 | 第30-38页 |
| ·反应磁控溅射 | 第30-33页 |
| ·反应磁控溅射原理 | 第30-31页 |
| ·直流反应磁控溅射系统 | 第31-32页 |
| ·射频反应磁控溅射系统 | 第32-33页 |
| ·电子束蒸发 | 第33-34页 |
| ·薄膜性能的表征 | 第34-37页 |
| ·X射线衍射(XRD)测试 | 第34-35页 |
| ·薄膜光学性质的测试 | 第35-36页 |
| ·I-V特性曲线测试 | 第36页 |
| ·C-V特性及其高低电阻测试 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 薄膜生长理论及TiO_2薄膜的制备 | 第38-43页 |
| ·薄膜制备准备工作 | 第38-40页 |
| ·TiO_2薄膜的制备 | 第40页 |
| ·TiO_2 薄膜的沉积速率 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 硅衬底上TiO_2薄膜的电阻开关特性研究 | 第43-61页 |
| ·电阻开关现象初步研究 | 第43-45页 |
| ·沉积时间对TiO_2薄膜性能的影响 | 第45-48页 |
| ·沉积时间对TiO_2薄膜晶体结构的影响 | 第45-46页 |
| ·沉积时间对TiO_2薄膜电阻开关特性的影响 | 第46-48页 |
| ·氧含量对TiO_2薄膜性能的影响 | 第48-53页 |
| ·氧含量对TiO_2薄膜晶体结构的影响 | 第49-51页 |
| ·氧含量对TiO_2薄膜电阻开关特性的影响 | 第51-53页 |
| ·退火温度对TiO_2薄膜性能的影响 | 第53-57页 |
| ·退火温度对TiO_2薄膜晶体结构的影响 | 第54-55页 |
| ·退火温度对TiO_2薄膜电阻开关特性的影响 | 第55-57页 |
| ·退火温度对TiO_2薄膜高低电阻的影响 | 第57页 |
| ·n型和p型重掺硅上TiO_2薄膜的电阻开关性能比较 | 第57-58页 |
| ·电阻状态保持特性研究 | 第58-59页 |
| ·C-V特性研究 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 柔性电阻开关器件 | 第61-66页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·SS/TiO_2/Pt/PET柔性电阻开关器件 | 第61-63页 |
| ·柔性衬底上Pt金属膜的制备 | 第61页 |
| ·晶体结构分析 | 第61-62页 |
| ·电阻开挂特性分析 | 第62-63页 |
| ·SS/TiO_2/CdO/PET柔性透明电阻开关器件 | 第63-65页 |
| ·柔性衬底上CdO薄膜的制备 | 第63页 |
| ·晶体结构分析 | 第63-64页 |
| ·光学性能分析 | 第64页 |
| ·电阻开关特性分析 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第6章 结论 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 附录 | 第75页 |