| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-19页 |
| 主要符号表 | 第19-20页 |
| 1 绪论 | 第20-34页 |
| ·氮化硅的基本性质及研究现状 | 第20-29页 |
| ·氮化硅的分类及性质 | 第20-21页 |
| ·a-SiN_x：H的研究现状及主要应用 | 第21-29页 |
| ·a-SiN_x：H薄膜的制备方法 | 第29-32页 |
| ·直接氮化法 | 第29-30页 |
| ·物理气相沉积法 | 第30-31页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第31-32页 |
| ·PECVD制备a-SiN_x：H薄膜存在的问题 | 第32-33页 |
| ·论文研究思路及内容 | 第33-34页 |
| 2 低气压管式放电及探索性应用研究 | 第34-46页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·一种新型的低气压管式放电技术 | 第34-41页 |
| ·低气压管式放电装置的基本组成 | 第34-36页 |
| ·低气压管式放电的特性 | 第36-41页 |
| ·低气压管式放电的探索性应用 | 第41-45页 |
| ·PECVD内壁镀膜 | 第41-42页 |
| ·等离子体刻蚀 | 第42-43页 |
| ·等离子体渗氮 | 第43-44页 |
| ·等离子体辅助脉冲激光沉积 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 3 N等离子体发射光谱分析方法研究 | 第46-66页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·利用OES确定N_2分子解离率的自洽计算方法 | 第47-59页 |
| ·确定原子密度的光化线原理 | 第47-49页 |
| ·自洽计算方法的OES模型 | 第49-51页 |
| ·利用OES自洽确定电子温度 | 第51-55页 |
| ·自洽计算方法确定N_2解离率 | 第55-58页 |
| ·自洽计算法的正确性检验 | 第58-59页 |
| ·N等离子体OES拟合方法研究 | 第59-65页 |
| ·N_2分子第二正带结构及谱线位置 | 第60-61页 |
| ·谱线强度确定 | 第61-62页 |
| ·优化算法及光谱拟合 | 第62-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 4 低气压管式放电N等离子体研究 | 第66-80页 |
| ·引言 | 第66页 |
| ·低气压管式放电的放电模式 | 第66-69页 |
| ·G和SP模式的放电特性 | 第69-72页 |
| ·SP放电N等离子体的进一步分析 | 第72-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 5 管式放电PECVD生长a-SiN_x：H薄膜 | 第80-88页 |
| ·引言 | 第80页 |
| ·双管式放电PECVD沉积a-SiN_x：H薄膜 | 第80-82页 |
| ·室温沉积a-SiN_x：H薄膜的表征 | 第82-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 6 管式放电PECVD生长a-SiN_x：H量子点薄膜 | 第88-103页 |
| ·引言 | 第88页 |
| ·a-SiN_x：H量子点薄膜的制备与表征 | 第88-93页 |
| ·a-SiN_x：H量子点的量子限域效应 | 第93-96页 |
| ·a-SiN_x：H量子点薄膜的荧光机制 | 第96-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 7 结论与展望 | 第103-106页 |
| ·结论 | 第103-104页 |
| ·创新点 | 第104页 |
| ·展望 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-115页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 作者简介 | 第118页 |