致谢 | 第1-6页 |
摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-13页 |
1 引言 | 第13-16页 |
2 绪论 | 第16-42页 |
·金刚石膜的特性与应用 | 第16-18页 |
·金刚石膜化学气相沉积方法 | 第18-22页 |
·HFCVD法 | 第19页 |
·DC Arc Plasma Jet CVD法 | 第19-21页 |
·MPCVD法 | 第21-22页 |
·MPCVD金刚石膜沉积装置的发展历程 | 第22-28页 |
·石英管式MPCVD装置 | 第22-23页 |
·石英钟罩式MPCVD装置 | 第23-24页 |
·圆柱形金属谐振腔式MPCVD装置 | 第24-25页 |
·环形天线(CAP)式MPCVD装置 | 第25-27页 |
·椭球谐振腔式MPCVD装置 | 第27-28页 |
·国外MPCVD金刚石膜沉积装置发展现状 | 第28-31页 |
·国内MPCVD金刚石膜沉积装置的发展情况 | 第31-35页 |
·国内915MHz高功率MPCVD装置的发展情况 | 第35页 |
·高品质金刚石膜制备技术发展现状 | 第35-39页 |
·论文的选题和主要内容 | 第39-42页 |
3 研究方法及实验方案 | 第42-48页 |
·微波电场及等离子体的模拟 | 第42-43页 |
·MPCVD装置微波谐振腔的设计过程和原则 | 第43-44页 |
·模拟仿真软件 | 第44-45页 |
·金刚石膜的表征方法 | 第45-48页 |
4 一种新型TM_(021)模式MPCVD金刚石膜沉积装置的设计与一种新设计方法的提出 | 第48-63页 |
·原有的TM_(021)模式MPCVD装置和其存在的问题 | 第48-50页 |
·TM_(021)模式微波谐振腔电场模式分析-微波谐振腔设计新方法的提出 | 第50-56页 |
·新型TM_(021)模式MPCVD装置的建立-微波谐振腔设计新方法的验证 | 第56-62页 |
·新型TM_(021)模式微波谐振腔的数值模拟 | 第56-59页 |
·新型TM_(021)模式MPCVD装置的建立及高品质金刚石膜的沉积 | 第59-62页 |
·结论 | 第62-63页 |
5 环形天线-椭球谐振腔式MPCVD金刚石膜沉积装置的设计 | 第63-75页 |
·环形天线耦合椭球微波谐振腔激励模式分析 | 第64-67页 |
·阶梯状环形天线-椭球谐振腔式MPCVD装置设计 | 第67-70页 |
·环形天线-椭球谐振腔式MPCVD装置的建立及性能检测 | 第70-74页 |
·结论 | 第74-75页 |
6 环形天线-椭球谐振腔式MPCVD装置高功率下金刚石膜沉积规律研究及高品质金刚石膜高效沉积 | 第75-110页 |
·沉积温度对金刚石膜沉积规律的影响 | 第76-82页 |
·沉积温度对金刚石膜表面形貌的影响 | 第77-79页 |
·沉积温度对金刚石膜沉积速率和品质的影响 | 第79-82页 |
·甲烷浓度对金刚石膜沉积规律的影响 | 第82-87页 |
·甲烷浓度对金刚石膜表面形貌的影响 | 第82-84页 |
·甲烷浓度对金刚石膜沉积速率和品质的影响 | 第84-87页 |
·气流对金刚石膜沉积规律的影响 | 第87-93页 |
·气体流量对金刚石膜沉积规律的影响 | 第87-89页 |
·气体流动方式对金刚石膜沉积规律的影响 | 第89-93页 |
·大面积金刚石膜沉积均匀性的影响因素 | 第93-96页 |
·高品质大面积金刚石厚膜的制备与表征 | 第96-107页 |
·环形天线-椭球谐振腔式MPCVD装置与新型TM_(021)模式MPCVD装置的比较 | 第97-100页 |
·环形天线-椭球谐振腔式MPCVD装置高真空条件下金刚石膜的沉积 | 第100-104页 |
·环形天线-椭球谐振腔式MPCVD装置高功率条件下沉积高品质金刚石膜 | 第104-107页 |
·小结 | 第107-110页 |
7 915MHz高功率MPCVD金刚石膜沉积装置的建立及大面积金刚石膜的沉积 | 第110-117页 |
·915MHz高功率MPCVD金刚石膜沉积装置设计与模拟优化 | 第111-113页 |
·915MHz高功率MPCVD装置的建立及大面积金刚石膜的沉积 | 第113-115页 |
·总结 | 第115-117页 |
8 结论 | 第117-119页 |
9 主要创新点 | 第119-121页 |
参考文献 | 第121-131页 |
作者简历及在学研究成果 | 第131-135页 |
学位论文数据集 | 第135页 |