| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| ·太阳能电池的研究背景和意义 | 第9页 |
| ·太阳能电池的发展 | 第9-10页 |
| ·高效率太阳能电池 | 第10-12页 |
| ·单结太阳能电池的效率极限 | 第10-11页 |
| ·多结太阳能电池 | 第11-12页 |
| ·InGaN太阳能电池 | 第12-16页 |
| ·III族氮化物的发展 | 第12页 |
| ·InGaN材料特性 | 第12-15页 |
| ·InGaN材料优势 | 第15页 |
| ·InGaN生长的技术难题 | 第15-16页 |
| ·论文内容安排 | 第16-18页 |
| 第2章 单结InGaN太阳能电池的数值模拟 | 第18-27页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·参数选定 | 第18-21页 |
| ·吸收系数的选择 | 第19-20页 |
| ·反向饱和电流密度的求解 | 第20-21页 |
| ·理想太阳能电池的转换效率 | 第21页 |
| ·InGaN同质结太阳能电池 | 第21-24页 |
| ·单结电池的厚度分配 | 第22-23页 |
| ·对同质结电池最佳带宽的分析 | 第23-24页 |
| ·轻掺杂层对电池效率的影响 | 第24页 |
| ·InGaN异质结太阳能电池 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 带宽渐变层在单结电池中的应用 | 第27-41页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·在同质结太阳能电池中增加带宽渐变层 | 第27-30页 |
| ·分别在p层和n层引入对应类型的带宽渐变层 | 第27-29页 |
| ·增加n型和p型的交替渐变层 | 第29-30页 |
| ·带宽渐变层在p-GaN/n-In0.5Ga0.5N异质结电池中的应用 | 第30-38页 |
| ·增加i型带宽渐变层 | 第30-32页 |
| ·增加n型带宽渐变层 | 第32-36页 |
| ·增加np交替型带宽渐变层 | 第36-37页 |
| ·增加p型带宽渐变层 | 第37页 |
| ·比较p型和n型渐变层对电池性能的影响 | 第37-38页 |
| ·n型带宽渐变层在p-InGaN/n-GaN异质结电池中的应用 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 存在复合时InGaN双结电池的数值分析 | 第41-52页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·存在复合的双结电池的短路电流密度公式推导 | 第41-46页 |
| ·顶电池的短路电流密度 | 第41-43页 |
| ·底电池的短路电流密度 | 第43-46页 |
| ·存在复合时双结InGaN电池的数值模拟 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第5章 InGaN多结电池的数值模拟 | 第52-59页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·多结太阳能电池的计算原理 | 第52-53页 |
| ·InGaN多结太阳能电池的模拟 | 第53-58页 |
| ·对6结InGaN电池的模拟 | 第53-55页 |
| ·对多结太阳能电池的分析 | 第55-56页 |
| ·复合对太阳能电池的影响 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 致谢 | 第67页 |