| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| ·钕铁硼永磁材料 | 第10-12页 |
| ·深度剖析方法 | 第12-14页 |
| ·二次离子质谱法(SIMS) | 第12-13页 |
| ·激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法(LA-ICP-MS) | 第13页 |
| ·激光诱导击穿光谱法(LIBS) | 第13页 |
| ·扫描电镜能谱法(SEM-EDS) | 第13页 |
| ·辉光放电质谱法(GD-MS) | 第13-14页 |
| ·元素分析方法 | 第14-16页 |
| ·电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES) | 第15页 |
| ·电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS) | 第15页 |
| ·辉光放电质谱法(GD-MS) | 第15-16页 |
| ·辉光放电质谱法 | 第16-18页 |
| ·辉光放电原理 | 第16-17页 |
| ·Element GD辉光放电质谱仪 | 第17页 |
| ·辉光放电质谱法的应用 | 第17-18页 |
| ·研究内容与意义 | 第18-20页 |
| 2 镀层深度剖析 | 第20-31页 |
| ·仪器、材料与试剂 | 第20页 |
| ·钕铁硼材料锌镀层的深度剖析 | 第20-22页 |
| ·实验方法 | 第20页 |
| ·结果与讨论 | 第20-22页 |
| ·钕铁硼材料铝镀层的深度剖析 | 第22-24页 |
| ·实验方法 | 第22页 |
| ·结果与讨论 | 第22-24页 |
| ·钕铁硼材料镍铜镍镀层的深度剖析 | 第24-30页 |
| ·实验方法 | 第24页 |
| ·结果与讨论 | 第24-30页 |
| ·方法小结 | 第30-31页 |
| 3 辉光放电质谱用钕铁硼合金内部控制样品的研制 | 第31-46页 |
| ·研制目的 | 第31页 |
| ·实验仪器、材料与试剂 | 第31页 |
| ·仪器与设备 | 第31页 |
| ·主要材料与试剂 | 第31页 |
| ·标准溶液 | 第31页 |
| ·研制依据及方法 | 第31-32页 |
| ·成分设计 | 第32-33页 |
| ·材料制备与加工 | 第33-34页 |
| ·均匀性检验 | 第34-35页 |
| ·定值 | 第35-45页 |
| ·重铬酸钾滴定法对铁量的测定 | 第36-37页 |
| ·ICP-AES法对硼、铝、硅、钛、钒、铬、锰、钴、镍、铜、镓、锆、铌、钼、钕、铽、镝的测定 | 第37-40页 |
| ·定值结果 | 第40-45页 |
| ·方法小结 | 第45-46页 |
| 4 常微量元素的辉光放电质谱法定量分析 | 第46-56页 |
| ·实验仪器、材料与试剂 | 第46页 |
| ·实验方法 | 第46页 |
| ·GD-MS工作参数的优化 | 第46-49页 |
| ·待测元素质谱干扰及同位素选择 | 第49-50页 |
| ·GD-MS测定 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-55页 |
| ·方法小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-65页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |