| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| ·课题背景与意义 | 第10-11页 |
| ·磁控溅射原理及其特点 | 第11-12页 |
| ·偏压及偏压电源研究现状 | 第12-14页 |
| ·偏压对磁控溅射作用研究现状 | 第12-14页 |
| ·脉冲电源控制系统研究现状 | 第14页 |
| ·CrN 硬质薄膜研究现状 | 第14-16页 |
| ·多弧离子镀制备CrN 薄膜 | 第15页 |
| ·磁控溅射制备CrN 薄膜 | 第15-16页 |
| ·研究目的及内容 | 第16-17页 |
| 第2章 实验材料及方法 | 第17-24页 |
| ·实验材料与试样制备 | 第17页 |
| ·直流磁控复合多波形偏压溅射系统 | 第17-18页 |
| ·CrN 薄膜的制备方法 | 第18-21页 |
| ·溅射清洗 | 第18-19页 |
| ·CrN 薄膜制备 | 第19-21页 |
| ·直流磁控制备CrN 薄膜形貌与结构分析 | 第21-22页 |
| ·扫描电镜（SEM）观察 | 第21-22页 |
| ·原子力显微镜（AFM）观察 | 第22页 |
| ·XRD 相结构分析 | 第22页 |
| ·CrN 薄膜性能分析 | 第22-24页 |
| ·薄膜纳米硬度检测 | 第22页 |
| ·薄膜摩擦磨损性能检测 | 第22-23页 |
| ·薄膜腐蚀特性测试 | 第23页 |
| ·膜基结合力测试 | 第23-24页 |
| 第3章 多波形高压脉冲电源控制系统设计 | 第24-42页 |
| ·电源总体设计方案 | 第24-25页 |
| ·控制系统硬件设计 | 第25-31页 |
| ·控制器件特点 | 第25-27页 |
| ·脉冲信号时钟电路 | 第27-28页 |
| ·驱动脉冲输出电路 | 第28-30页 |
| ·驱动脉冲辅助电路 | 第30-31页 |
| ·控制系统软件设计 | 第31-35页 |
| ·频率一致性 | 第32-33页 |
| ·参数保存与系统恢复 | 第33-35页 |
| ·控制系统抗干扰设计 | 第35-38页 |
| ·硬件抗干扰 | 第35-37页 |
| ·软件抗干扰 | 第37-38页 |
| ·电源调试 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 偏压形状对直流磁控溅射制备CrN 薄膜的影响 | 第42-53页 |
| ·前言 | 第42-43页 |
| ·偏压形状对CrN 薄膜微观性能的影响 | 第43-48页 |
| ·表面形貌 | 第43-44页 |
| ·表面粗糙度 | 第44-45页 |
| ·截面显微结构与厚度 | 第45-47页 |
| ·薄膜相结构 | 第47-48页 |
| ·偏压形状对CrN 薄膜宏观性能的影响 | 第48-52页 |
| ·薄膜力学性能 | 第48-49页 |
| ·薄膜抗腐蚀性能 | 第49-50页 |
| ·薄膜摩擦磨损性能 | 第50-51页 |
| ·薄膜与基体结合力 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 脉冲偏压幅值与频率对直流磁控溅射制备CrN 薄膜的影响 | 第53-64页 |
| ·直流磁控复合缓降缓升偏压制备CrN 薄膜 | 第53-56页 |
| ·CrN 薄膜表面形貌 | 第53-54页 |
| ·膜层力学性能 | 第54-55页 |
| ·膜层抗腐蚀性能 | 第55-56页 |
| ·直流磁控复合陡降缓升偏压制备CrN 薄膜 | 第56-60页 |
| ·CrN 薄膜表面形貌 | 第56-58页 |
| ·膜层力学性能 | 第58-59页 |
| ·膜层抗腐蚀性能 | 第59-60页 |
| ·直流磁控复合缓降陡升偏压制备CrN 薄膜 | 第60-62页 |
| ·CrN 薄膜表面形貌 | 第60-61页 |
| ·膜层力学性能 | 第61-62页 |
| ·膜层抗腐蚀性能 | 第62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 致谢 | 第71页 |