| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-26页 |
| ·探测价电子密度的正电子湮没技术简介 | 第11-13页 |
| ·正电子湮没技术在超导体等材料中应用 | 第13-17页 |
| ·正电子湮灭技术在高温超导体上的应用 | 第14-15页 |
| ·正电子湮灭技术在金属合金材料方面的应用 | 第15-17页 |
| ·正电子湮灭技术在半导体材料方面的应用 | 第17页 |
| ·团簇理论及其研究进展 | 第17-19页 |
| ·团簇现象 | 第17-18页 |
| ·团簇的研究历史 | 第18页 |
| ·团簇研究的内容 | 第18-19页 |
| ·团簇研究的意义 | 第19页 |
| ·团簇效应的理论和实验依据 | 第19-22页 |
| ·团簇效应导致价电子密度饱和现象的理论认识 | 第22-24页 |
| ·研究的目的和意义 | 第24-26页 |
| 2 超导体中价电子密度饱和与团簇效应关系 | 第26-31页 |
| ·YBCO超导体中的元素替代与饱和 | 第26-27页 |
| ·非磁性离子Zn和Al替代YBCO中价电子密度饱和与团簇效应 | 第27-29页 |
| ·磁性离子Fe、CO、Ni替代YBCO中价电子密度饱和与团簇效应 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 3 陶瓷材料中价电子密度饱和与团簇效应关系 | 第31-39页 |
| ·Ho掺杂Ba TiO_3陶瓷正电子湮没研究 | 第31-34页 |
| ·BaTiO_3简介 | 第31-32页 |
| ·BaTiO_3陶瓷掺杂中的团簇效应与电子密度饱和现象 | 第32-34页 |
| ·PLZT纳米陶瓷的正电子湮没研究 | 第34-38页 |
| ·PZT与PLZT简介 | 第34-36页 |
| ·PLZT的性能及应用 | 第36页 |
| ·PLZT陶瓷掺杂中的团簇效应与电子密度饱和现象 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 4 玻璃材料中价电子密度饱和与团簇效应关系 | 第39-46页 |
| ·玻璃简介 | 第39-40页 |
| ·PbO-B_2O_3-SiO_2玻璃中的团簇效应与价电子密度饱和现象 | 第40-42页 |
| ·10%PbS硫化物玻璃中的团簇效应与价电子密度饱和现象 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 5 金属材料中价电子密度饱和与团簇效应关系 | 第46-52页 |
| ·金属间化合物概述 | 第46页 |
| ·TiAl金属间化合物 | 第46-48页 |
| ·TiAl合金的基本物理性质 | 第47页 |
| ·TiAl合金化 | 第47-48页 |
| ·Nb掺杂TiAl合金中的电子密度饱和现象 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 6 结论与展望 | 第52-54页 |
| ·论文主要结论 | 第52页 |
| ·本项研究结果的理论意义 | 第52-53页 |
| ·进一步研究工作 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第59页 |
