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磁集成技术中薄膜磁性元件等效电路模型的研究

致谢第1-6页
摘要第6-7页
Abstract第7-11页
1 绪论第11-24页
   ·薄膜磁件发展概述第11页
   ·薄膜电感器的分类第11-14页
   ·薄膜磁芯材料的基本特性及建模参数要求第14-17页
     ·薄膜磁芯材料的基本特性第14-16页
     ·磁件建模要研究的参数及建模要求第16页
     ·磁件建模的理论依据第16-17页
   ·几种传统的磁件等效模型第17-22页
     ·各模型相互间的关系及比较第21-22页
     ·各模型不足第22页
   ·论文的主要研究内容第22-24页
2 变压器-电感模型的建模理论分析第24-42页
   ·T-I 模型建立的意义第24页
   ·T-I 仿真模型基本理论第24-28页
     ·用线性电感模拟磁件非线性的 T-I 模型第25页
     ·用非线性电感模拟磁件非线性的 T-I 模型第25-28页
   ·考虑磁滞特性的 T-I 模型第28-32页
     ·利用线性电阻模拟磁滞效应第28-30页
     ·利用非线性电阻模拟磁滞效应第30-32页
       ·磁滞模型的建立第30-31页
       ·磁滞参数的推导第31-32页
   ·考虑饱和特性的 T-I 模型第32-35页
     ·利用线性电导模拟饱和效应第32-33页
     ·利用非线性电导模拟饱和效应第33-35页
       ·饱和模型的建立第33-34页
       ·饱和参数的推导第34-35页
   ·考虑磁滞、饱和特性的非线性电感模型第35-39页
     ·模型的仿真验证第36-39页
   ·利用 T-I 仿真模型的磁件建模第39-41页
   ·本章小结第41-42页
3 T-I 等效电路模型的仿真第42-50页
   ·T-I 非线性电感模型的局部磁化曲线模拟第42-43页
   ·磁滞模型的仿真验证第43-46页
   ·饱和模型的仿真验证第46-47页
   ·T-I 非线性电感模型实际磁芯模拟验证第47-49页
   ·本章小结第49-50页
4 薄膜磁件的 T-I 模型在交错并联 Buck 电路中的应用第50-67页
   ·两相交错并联磁集成 buck 变换器的工作原理第50-54页
   ·两相 buck 等效模型电路系统损耗分析第54-58页
     ·输出纹波电压第54-55页
     ·导通损耗第55-56页
     ·开关损耗第56-57页
     ·静态损耗第57-58页
   ·利用 T-I 模型的集成磁件建模分析第58-61页
   ·两相 buck 改进型 T-I 等效电路模型的建立第61-62页
   ·两相 VRM 模型的仿真验证第62-64页
   ·VRM 实验平台及主要性能指标第64-66页
     ·实验验证第64-66页
   ·本章小结第66-67页
结论第67-68页
参考文献第68-71页
作者简历第71-73页
学位论文数据集第73-74页

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