| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·硅晶体的结构和能带 | 第9-11页 |
| ·硅晶体的结构 | 第9-10页 |
| ·硅晶体的能带 | 第10-11页 |
| ·硅基半导体的应用 | 第11-12页 |
| ·磁电阻效应 | 第12-16页 |
| ·电致电阻效应(忆阻器) | 第16-18页 |
| ·本论文的内容和意义 | 第18-19页 |
| 第2章 空间电荷限制电流(SCLC)及其理论 | 第19-25页 |
| ·SCLC的提出 | 第19-21页 |
| ·陷阱效应对SCLC的影响 | 第21-23页 |
| ·SCLC与电致电阻现象 | 第23-25页 |
| 第3章 硅中空间电荷限制电流效应及磁电阻效应 | 第25-33页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·实验部分 | 第25-32页 |
| ·样品制备 | 第25-26页 |
| ·样品测试 | 第26-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 硅中空间电荷效应及其相关的电致电阻现象 | 第33-42页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·实验部分 | 第33-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第5章 结论 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-49页 |
| 硕士期间所发表的论文 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51页 |