| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-29页 |
| ·课题研究的背景 | 第8-18页 |
| ·忆阻器的概念 | 第8-13页 |
| ·忆阻器的电路特性 | 第13-14页 |
| ·忆阻器的应用 | 第14-18页 |
| ·课题研究现状及发展趋势 | 第18-26页 |
| ·忆阻器材料体系的研究 | 第18-20页 |
| ·忆阻器电阻转换机制研究 | 第20-24页 |
| ·忆阻器制备工艺的研究 | 第24-25页 |
| ·忆阻器的技术要求与发展趋势 | 第25-26页 |
| ·课题研究的意义和主要内容 | 第26-29页 |
| ·课题的提出和意义 | 第26-27页 |
| ·论文的主要内容 | 第27-29页 |
| 第2章 碘化银块体忆阻器的制备及其忆阻行为研究 | 第29-57页 |
| ·引言 | 第29-30页 |
| ·实验过程 | 第30-35页 |
| ·AgI 纳米粉的制备 | 第30-31页 |
| ·块体忆阻器的制备 | 第31-32页 |
| ·样品结构和性能的表征 | 第32-35页 |
| ·结果分析与讨论 | 第35-55页 |
| ·显微结构与晶相分析 | 第35-36页 |
| ·电路忆阻特性 | 第36-38页 |
| ·机理与模型研究 | 第38-50页 |
| ·电化学反应热力学分析 | 第50-52页 |
| ·电化学反应动力学分析 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第3章 氧化钴块体忆阻器的制备及其忆阻行为研究 | 第57-82页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·实验过程 | 第58-61页 |
| ·粉料处理和样品的制备 | 第58-59页 |
| ·样品结构和性能的表征 | 第59-61页 |
| ·结果分析与讨论 | 第61-80页 |
| ·显微结构与晶相分析 | 第61-62页 |
| ·忆阻器电路特性 | 第62-66页 |
| ·忆阻机理研究 | 第66-76页 |
| ·基于机理的讨论 | 第76-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第4章 锰锌铁氧体块体忆阻器的制备及其忆阻行为研究 | 第82-106页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·实验过程 | 第83-87页 |
| ·样品的制备 | 第83-85页 |
| ·样品结构和性能的表征 | 第85-87页 |
| ·结果分析与讨论 | 第87-103页 |
| ·显微结构与晶相分析 | 第87-90页 |
| ·忆阻器电路特性 | 第90-91页 |
| ·忆阻机理讨论 | 第91-103页 |
| ·本章小结 | 第103-106页 |
| 第5章 结论 | 第106-109页 |
| 参考文献 | 第109-120页 |
| 致谢 | 第120-122页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第122-123页 |