| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 文献综述 | 第10-26页 |
| ·沸石分子筛概述 | 第10-13页 |
| ·Beta沸石分子筛 | 第13-16页 |
| ·杂原子分子筛概述 | 第16-21页 |
| ·杂原子分子筛介绍 | 第16-17页 |
| ·杂原子分子筛催化反应 | 第17-21页 |
| ·葡萄糖转化概述 | 第21-24页 |
| ·葡萄糖的转化利用 | 第21-23页 |
| ·葡萄糖异构化为果糖的研究进展 | 第23-24页 |
| ·课题选择背景及意 | 第24-26页 |
| 2 母体B-Beta沸石的合成和结构表征研究 | 第26-40页 |
| ·实验所用试剂和表征手段 | 第26-27页 |
| ·实验所用试剂 | 第26页 |
| ·X射线粉末衍射(XRD) | 第26页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第26页 |
| ·傅里叶变换红外光谱(FT-IR) | 第26-27页 |
| ·固体核磁共振仪(~(11)B MAS NMR) | 第27页 |
| ·B-Beta沸石的合成 | 第27页 |
| ·B-Beta沸石的结构表征 | 第27-30页 |
| ·XRD分析 | 第27-28页 |
| ·FT-IR分析 | 第28-29页 |
| ·SEM分析 | 第29页 |
| ·~(11)B MAS NMR分析 | 第29-30页 |
| ·合成条件对B-Beta沸石合成的影响 | 第30-39页 |
| ·n(Na_2O)/n(SiO_2)比的影响 | 第30-31页 |
| ·n(TEA_2O)/n(SiO_2)比的影响 | 第31页 |
| ·n(H_2O)/n(SiO_2)比对B-Beta沸石合成的影响 | 第31-32页 |
| ·n(B_2O_3)/n(SiO_2)比对B-Beta沸石合成的影响 | 第32-33页 |
| ·n(NH_4F)/n(SiO_2)比对B-Beta沸石合成的影响 | 第33-35页 |
| ·晶种量对B-Beta沸石合成的影响 | 第35-36页 |
| ·晶化时间对B-Beta沸石合成的影响 | 第36-38页 |
| ·晶化方式对B-Beta沸石合成的影响 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 3 以B-Beta为母体,Sn-Beta沸石的制备和结构表征研究 | 第40-49页 |
| ·实验所用试剂和表征手段 | 第40-41页 |
| ·实验所用试剂 | 第40页 |
| ·X射线粉末衍射(XRD) | 第40页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第40页 |
| ·紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis) | 第40-41页 |
| ·电感耦合等离子体发射光谱(ICP) | 第41页 |
| ·N_2物理吸附 | 第41页 |
| ·傅立叶变换红外光谱(Py-IR) | 第41页 |
| ·Sn-Beta沸石的制备 | 第41-42页 |
| ·脱硼处理 | 第41页 |
| ·气固相反应 | 第41-42页 |
| ·Sn-Beta沸石的结构表征 | 第42-45页 |
| ·XRD分析 | 第42页 |
| ·SEM分析 | 第42-43页 |
| ·紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis) | 第43-44页 |
| ·吡啶吸附脱附-真空红外谱图 | 第44-45页 |
| ·处理条件对Sn-Beta沸石制备的影响 | 第45-47页 |
| ·酸处理对B-Beta沸石脱硼的影响 | 第45-46页 |
| ·气固相反应温度对Sn-Beta-PS样品中Sn含量的影响 | 第46-47页 |
| ·气固相反应时间对Sn-Beta-PS中Sn含量的影响 | 第47页 |
| ·小结 | 第47-49页 |
| 4 Sn-Beta-PS在葡萄糖异构化反应中的催化性能研究 | 第49-57页 |
| ·实验所用试剂及仪器 | 第49页 |
| ·实验所用试剂 | 第49页 |
| ·实验所用仪器 | 第49页 |
| ·实验过程 | 第49-50页 |
| ·葡萄糖异构化反应体系 | 第49-50页 |
| ·收率的计算 | 第50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-56页 |
| ·反应溶剂的影响 | 第50-52页 |
| ·反应温度的影响 | 第52-53页 |
| ·反应时间的影响 | 第53-54页 |
| ·催化剂用量对反应的影响 | 第54页 |
| ·催化剂中Sn种类对反应的影响 | 第54-55页 |
| ·催化剂重复利用性的考察 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
