| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-22页 |
| 第一章 引言 | 第22-26页 |
| ·为什么应该使用太阳能 | 第22页 |
| ·薄膜太阳电池 | 第22-23页 |
| ·论文概论 | 第23-26页 |
| 第二章 薄膜硅太阳电池 | 第26-40页 |
| ·硅薄膜材料 | 第26-30页 |
| ·光致衰减效应(Staebler-Wronski effect：SWE) | 第27-28页 |
| ·硅薄膜材料的光学带隙和光吸收系数 | 第28-29页 |
| ·太阳光谱 | 第29-30页 |
| ·单节a-Si：H和叠层a-Si：H/μc-Si：H太阳电池结构 | 第30-33页 |
| ·单节非晶硅电池 | 第30-31页 |
| ·叠层太阳电池 | 第31-33页 |
| ·硅薄膜太阳电池的性能 | 第33-40页 |
| ·太阳电池的电流电压特性 | 第33-36页 |
| ·太阳电池的等效电路 | 第36-40页 |
| 第三章 薄膜太阳电池组件 | 第40-56页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·薄膜太阳电池组件单片内部串联 | 第40-43页 |
| ·子电池的最优宽度 | 第42-43页 |
| ·激光划线 | 第43-49页 |
| ·激光 | 第43-45页 |
| ·激光消融 | 第45-46页 |
| ·划线时激光的入射方向：从薄膜面或衬底面入射划线 | 第46-48页 |
| ·脉冲激光划线 | 第48-49页 |
| ·实验部分 | 第49-56页 |
| ·激光划线系统 | 第49-51页 |
| ·标准薄膜太阳电池组件内部串联程序 | 第51-56页 |
| 第四章 TCO层划线的研究(P1) | 第56-78页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·激光束从玻璃面入射的划线 | 第57-63页 |
| ·材料性能 | 第57-60页 |
| ·实验部分 | 第60-61页 |
| ·结果和讨论 | 第61-63页 |
| ·激光从薄膜面入射划线 | 第63-75页 |
| ·单个激光脉冲的消融作用 | 第63-64页 |
| ·消融阈值的测定 | 第64-70页 |
| ·激光线的电学隔离性能测定及其在组件中的应用 | 第70-75页 |
| ·结论 | 第75-78页 |
| 第五章 吸收层划线的研究(P2) | 第78-100页 |
| ·引言 | 第78-81页 |
| ·实验部分 | 第81-87页 |
| ·消融阈值的确定 | 第81页 |
| ·传输线测量方法 | 第81-86页 |
| ·表面分析方法 | 第86-87页 |
| ·激光线的分析 | 第87-96页 |
| ·接触电阻(R_C) | 第87-88页 |
| ·表面形貌 | 第88-89页 |
| ·光电子能谱(XPS) | 第89-92页 |
| ·次离子质谱(SIMS) | 第92-96页 |
| ·讨论 | 第96-97页 |
| ·双重叠率法 | 第97-99页 |
| ·双重叠率法在非晶硅单结电池上的应用 | 第97页 |
| ·双重叠率法在a-Si：H/μc-Si：H双结电池上的应用 | 第97-99页 |
| ·结论 | 第99-100页 |
| 第六章 背电极激光划线(P3) | 第100-118页 |
| ·引言 | 第100-101页 |
| ·实验部分 | 第101-102页 |
| ·实验设置 | 第101页 |
| ·脉冲激光划线 | 第101-102页 |
| ·衬底制备 | 第102页 |
| ·P3激光线的电学表征 | 第102-107页 |
| ·结果部分 | 第107-112页 |
| ·讨论 | 第112-115页 |
| ·紫外激光全膜面划线组件示范 | 第115-116页 |
| ·结论 | 第116-118页 |
| 第七章 总结与展望 | 第118-122页 |
| ·主要结论与创新点 | 第118-120页 |
| ·作展望 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-136页 |
| 致谢 | 第136-138页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第138页 |
