| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-23页 |
| ·引言 | 第12-14页 |
| ·MgB_2的超导电性 | 第14-20页 |
| ·MgB_2的晶体结构和理论计算 | 第15-16页 |
| ·MgB_2的同位素效应 | 第16-17页 |
| ·MgB_2的霍尔效应 | 第17页 |
| ·MgB_2的比热 | 第17-18页 |
| ·MgB_2的约瑟夫森(Josephson)效应 | 第18页 |
| ·MgB_2的相稳定性 | 第18-20页 |
| ·MgB_2超导薄膜的制备技术 | 第20-22页 |
| ·小结 | 第22-23页 |
| 第二章 超导电性的测量 | 第23-28页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·基本测量技术 | 第23-25页 |
| ·实际测量系统 | 第25-26页 |
| ·小结 | 第26-28页 |
| 第三章 MgB2超导薄膜制备工艺和设备 | 第28-37页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·化学气相沉积法 | 第29-31页 |
| ·几种制备材料薄膜的CVD法 | 第30页 |
| ·化学气相沉积过程中主要的影响因素 | 第30-31页 |
| ·化学气相沉积工艺 | 第31页 |
| ·工艺及设备 | 第31-35页 |
| ·基于辐照加热的CVD法 | 第32-34页 |
| ·基于高频感应加热的CVD法 | 第34-35页 |
| ·基于高真空系统的CVD法 | 第35页 |
| ·小结 | 第35-37页 |
| 第四章 异位退火两步法制备MgB_2超导薄膜 | 第37-50页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·基片的选择和实验准备 | 第38-39页 |
| ·选择衬底基片 | 第38-39页 |
| ·清洗衬底基片 | 第39页 |
| ·先驱膜生长装置 | 第39页 |
| ·先驱B薄膜的生长 | 第39-42页 |
| ·后续退火(在Mg蒸气中) | 第42-44页 |
| ·装片 | 第42-43页 |
| ·后续退火 | 第43-44页 |
| ·实验结果分析 | 第44-48页 |
| ·小结 | 第48-50页 |
| 第五章 HPCVD双加热器一步法制备MgB_2超导薄膜 | 第50-58页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·双加热器HPCVD生长超导薄膜 | 第50-52页 |
| ·实验过程 | 第52-53页 |
| ·衬底基片的处理 | 第52页 |
| ·薄膜的生长 | 第52-53页 |
| ·实验结果分析 | 第53-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 第六章 MgB_2-B-MgB_2超导多层膜的制备 | 第58-63页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·实验过程 | 第58-62页 |
| ·绝缘介质层的选择 | 第58-60页 |
| ·第二层超导薄膜的制备和结果 | 第60-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第七章 MgB_2超导薄膜布图布线技术 | 第63-70页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·工艺过程 | 第63-68页 |
| ·技术方案一 | 第64-67页 |
| ·技术方案二 | 第67-68页 |
| ·小结 | 第68-70页 |
| 第八章 总结和展望 | 第70-73页 |
| ·总结 | 第70-71页 |
| ·下一步工作展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 附录：测量程序 | 第78-84页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第84-86页 |
| 致谢 | 第86页 |