| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 1 绪论 | 第12-32页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·一维纳米材料简介 | 第13-16页 |
| ·一维纳米材料概述 | 第13-14页 |
| ·一维纳米材料的发展趋势 | 第14-16页 |
| ·SiC 及其一维纳米材料概述 | 第16-19页 |
| ·SiC 的晶体结构及其理化性质 | 第16-18页 |
| ·SiC 一维纳米材料的性能及应用 | 第18-19页 |
| ·SiC 一维纳米材料的生产方法 | 第19-25页 |
| ·模板生长法 | 第19-20页 |
| ·化学气相沉积法 | 第20-22页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第22-23页 |
| ·熔体生长法 | 第23-24页 |
| ·电弧放电法 | 第24页 |
| ·碳热还原法 | 第24-25页 |
| ·SiC 一维纳米材料的生长机理 | 第25-29页 |
| ·气-液-固生长 | 第26-27页 |
| ·气-固生长 | 第27-28页 |
| ·液-液-固生长 | 第28页 |
| ·氧化物辅助生长 | 第28-29页 |
| ·本文选题依据、主要内容及创新点 | 第29-32页 |
| ·本文的选题依据 | 第29-30页 |
| ·本文的研究内容 | 第30-31页 |
| ·本文的主要创新点 | 第31-32页 |
| 2 实验部分 | 第32-40页 |
| ·工艺生产设备和实验仪器 | 第32页 |
| ·工艺生产原料的选取及其预处理 | 第32-33页 |
| ·碳源的选取 | 第32页 |
| ·硅源的选取及预处理 | 第32页 |
| ·保护气的选取 | 第32-33页 |
| ·催化剂选取及制备 | 第33页 |
| ·衬底的选取及预处理 | 第33页 |
| ·SiC 一维纳米材料的生产工艺 | 第33-38页 |
| ·单室真空可控气氛炉生产工艺 | 第33-35页 |
| ·三室真空可控气氛炉生产工艺 | 第35-38页 |
| ·SiC 一维纳米材料的表征方法 | 第38-40页 |
| ·宏观照片分析 | 第38页 |
| ·横断面照片分析 | 第38页 |
| ·X 射线衍射（XRD）分析 | 第38页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第38-39页 |
| ·透射电子显微镜（TEM）和选区电子衍射（SAED）分析 | 第39-40页 |
| 3 单室可控气氛炉生产工艺优化研究 | 第40-52页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·实验工艺 | 第41-42页 |
| ·实验装置及原料 | 第41页 |
| ·优化实验的基本工艺 | 第41页 |
| ·分析方法和表征手段 | 第41-42页 |
| ·单室可控气氛炉生产工艺优化研究 | 第42-51页 |
| ·反应温度的调整 | 第42-45页 |
| ·反应压力的优化 | 第45-48页 |
| ·反应时间的优化 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 4 多步 CVD 工艺对 SiC 一维纳米材料产量的影响 | 第52-60页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·多步 CVD 工艺的实验过程 | 第53-54页 |
| ·实验装置及原料 | 第53页 |
| ·优化实验的基本工艺 | 第53页 |
| ·分析方法和表征手段 | 第53-54页 |
| ·多步 CVD 工艺条件下产物的形貌分析 | 第54-58页 |
| ·多步 CVD 工艺对产物的形貌影响分析 | 第54-55页 |
| ·多步 CVD 工艺对产物的沉积过程的影响 | 第55-58页 |
| ·多步 CVD 工艺对 SiCNWs 的生长机理影响 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 5 工艺参数对 SiC 一维纳米材料的基本生长过程的影响 | 第60-76页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·实验工艺 | 第60-61页 |
| ·实验装置及原料 | 第60页 |
| ·实验的基本工艺 | 第60-61页 |
| ·分析方法和表征手段 | 第61页 |
| ·SiC 纳米线的形核阶段 | 第61-66页 |
| ·形核阶段的结果表征及讨论 | 第62-64页 |
| ·形核阶段的影响因素分析 | 第64-65页 |
| ·形核阶段的机理分析 | 第65-66页 |
| ·SiC 纳米线的生长阶段 | 第66-72页 |
| ·生长阶段的结果表征及讨论 | 第67-70页 |
| ·生长阶段的影响因素分析 | 第70页 |
| ·生长阶段的机理分析 | 第70-72页 |
| ·SiC 纳米线的生长终止阶段 | 第72-75页 |
| ·生长终止阶段结果分析 | 第72-73页 |
| ·生长终止阶段的影响因素分析 | 第73-74页 |
| ·生长终止阶段的机理分析 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 6 三室连续生产式真空可控气氛炉生产工艺研究 | 第76-86页 |
| ·引言 | 第76页 |
| ·实验工艺 | 第76-77页 |
| ·实验装置及原料 | 第76页 |
| ·优化实验的基本工艺 | 第76-77页 |
| ·分析方法和表征手段 | 第77页 |
| ·连续生产式工艺初试及其反应室内部结构的优化设计 | 第77-81页 |
| ·连续生产式工艺初试 | 第77-78页 |
| ·连续生产式可控气氛炉反应室内部结构设计 | 第78-79页 |
| ·连续生产式可控气氛炉反应室内部气流场数值模拟 | 第79-81页 |
| ·连续生产式可控气氛炉生产工艺的研究 | 第81-85页 |
| ·连续生产工艺研究 | 第81-82页 |
| ·连续生产的产物分析 | 第82-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 结论 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第97页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研项目及活动 | 第97-98页 |
