磁控溅射制备TiO2薄膜及其亲水性能实验研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| ·课题研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| ·TiO_2薄膜亲水机理 | 第11-13页 |
| ·接触角的定义 | 第11-12页 |
| ·表面亲水性原理 | 第12-13页 |
| ·影响TiO_2表面亲水性的因素 | 第13-15页 |
| ·TiO_2晶面 | 第13页 |
| ·环境气氛 | 第13-14页 |
| ·光源、紫外光照射时间和强度 | 第14页 |
| ·薄膜厚度 | 第14页 |
| ·热处理条件 | 第14-15页 |
| ·TiO_2薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
| ·溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第15页 |
| ·化学气相沉积(CVD)法 | 第15-16页 |
| ·电泳法 | 第16页 |
| ·离子束辅助沉积法 | 第16页 |
| ·水热沉积法 | 第16-17页 |
| ·磁控溅射法 | 第17页 |
| ·课题研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 反应磁控溅射及实验设备 | 第18-28页 |
| ·反应磁控溅射 | 第18-19页 |
| ·中频交流反应磁控溅射 | 第19-20页 |
| ·磁控溅射镀膜机简介 | 第20-22页 |
| ·真空抽气系统 | 第21页 |
| ·溅射镀膜室 | 第21-22页 |
| ·实验流程 | 第22-24页 |
| ·实验材料的选择 | 第22页 |
| ·清洗基片 | 第22-23页 |
| ·薄膜的制备 | 第23-24页 |
| ·薄膜性能检测设备 | 第24-28页 |
| ·膜厚检测设备 | 第24页 |
| ·晶相检测设备 | 第24-25页 |
| ·成分检测设备 | 第25-26页 |
| ·接触角测量仪器 | 第26页 |
| ·形貌检测设备 | 第26-27页 |
| ·退火处理设备 | 第27-28页 |
| 第3章 TiO_2薄膜工艺参数优化 | 第28-54页 |
| ·沉积时间对TiO_2薄膜性能的影响 | 第28-31页 |
| ·工艺参数 | 第28页 |
| ·薄膜厚度的测定 | 第28-29页 |
| ·薄膜XRD分析 | 第29-30页 |
| ·沉积时间对亲水性的影响 | 第30-31页 |
| ·氧气流量对TiO_2薄膜性能的影响 | 第31-35页 |
| ·工艺参数 | 第32页 |
| ·薄膜XRD分析 | 第32-34页 |
| ·氧气流量对亲水性的影响 | 第34-35页 |
| ·工作压力对TiO_2薄膜性能的影响 | 第35-42页 |
| ·工艺参数 | 第36页 |
| ·薄膜XPS分析 | 第36-41页 |
| ·工作压力对亲水性的影响 | 第41-42页 |
| ·功率对TiO_2薄膜性能的影响 | 第42-47页 |
| ·工艺参数 | 第42-43页 |
| ·薄膜XPS分析 | 第43-46页 |
| ·功率对亲水性能的影响 | 第46-47页 |
| ·靶基距对TiO_2薄膜性能的影响 | 第47-52页 |
| ·工艺参数 | 第47页 |
| ·薄膜XPS分析 | 第47-50页 |
| ·靶基距对亲水性能的影响 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第4章 射频溅射制备掺氮TiO_2薄膜 | 第54-62页 |
| ·射频溅射 | 第54页 |
| ·掺氮TiO_2薄膜制备 | 第54-55页 |
| ·薄膜厚度测试 | 第55页 |
| ·薄膜XRD分析 | 第55-56页 |
| ·薄膜XPS分析 | 第56-61页 |
| ·亲水性能 | 第61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第5章 退火对薄膜性能的影响 | 第62-78页 |
| ·薄膜的退火处理 | 第62-63页 |
| ·退火温度对薄膜表面形貌的影响 | 第63-64页 |
| ·退火温度对TiO_2薄膜表面形貌的影响 | 第63-64页 |
| ·退火温度对掺氮TiO_2薄膜表面形貌的影响 | 第64页 |
| ·退火温度对薄膜晶体结构的影响 | 第64-67页 |
| ·退火温度对TiO_2薄膜晶体结构的影响 | 第65-66页 |
| ·退火温度对掺氮TiO_2薄膜晶体结构的影响 | 第66-67页 |
| ·退火温度对薄膜成分的影响 | 第67-73页 |
| ·退火温度对TiO_2薄膜成分的影响 | 第67-70页 |
| ·退火温度对掺氮TiO_2薄膜成分的影响 | 第70-73页 |
| ·退火温度对薄膜亲水性的影响 | 第73-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第6章 结论与展望 | 第78-80页 |
| ·主要研究结论 | 第78页 |
| ·展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
