| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-36页 |
| ·课题的来源及研究的目的和意义 | 第15-16页 |
| ·材料中的缺陷结构与缺陷结构研究手段 | 第16-22页 |
| ·影响材料性能的缺陷结构的类型 | 第16-18页 |
| ·点缺陷结构的实验测定方法 | 第18-20页 |
| ·点缺陷结构的理论研究方法 | 第20-22页 |
| ·第一性原理计算材料缺陷与性能相关研究进展 | 第22-29页 |
| ·第一性原理缺陷分析方法的发展状态 | 第22-23页 |
| ·稀磁半导体材料及其缺陷的相关研究进展 | 第23-27页 |
| ·特殊磁性的缺陷相关产生机制研究 | 第27-29页 |
| ·二氧化钛晶体与薄膜的材料与性能研究进展 | 第29-35页 |
| ·二氧化钛晶体的结构 | 第29页 |
| ·二氧化钛体材料中的缺陷结构 | 第29-31页 |
| ·过渡金属掺杂二氧化钛薄膜的磁性能 | 第31-34页 |
| ·掺杂二氧化钛体系的光催化性能 | 第34-35页 |
| ·本文的主要工作 | 第35-36页 |
| 第2章 第一性原理的基本原理与缺陷研究方法 | 第36-54页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·第一性原理材料研究方法 | 第36-44页 |
| ·多粒子系统的薛定谔方程与Kohn-Sham 方程 | 第37-39页 |
| ·局部密度近似方法和广义梯度近似方法 | 第39-41页 |
| ·其他第一性原理计算方法 | 第41-42页 |
| ·常用的基于第一性原理方法的计算软件 | 第42-44页 |
| ·第一性原理分析方法 | 第44-53页 |
| ·基本计算方法 | 第44-46页 |
| ·极限条件下化学势的设定与计算 | 第46-49页 |
| ·缺陷稳定性的评估 | 第49-51页 |
| ·基于密度范函方法的缺陷形成能计算方法的优缺点分析 | 第51-52页 |
| ·对第一性原理缺陷分析方法的展望 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第3章 铌酸锂晶体点缺陷形成能的第一性原理研究 | 第54-69页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·理想铌酸锂晶体结构与性能的研究 | 第54-56页 |
| ·铌酸锂晶体本征缺陷结构研究状态 | 第56-58页 |
| ·第一性原理研究非化学剂量比铌酸锂晶体的缺陷稳定性 | 第58-67页 |
| ·第一性原理计算的基本设定 | 第59-60页 |
| ·形成能计算的设定与计算 | 第60-61页 |
| ·化学势限制条件的基本设定 | 第61-63页 |
| ·对铌酸锂晶体缺陷稳定性的分析 | 第63-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第4章 Cu掺杂TiO_2体系中缺陷诱导磁性研究 | 第69-87页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·非磁性粒子组成薄膜中的特殊磁性产生机制模型 | 第70-73页 |
| ·由本征缺陷诱导的特殊磁性产生机制 | 第70-72页 |
| ·由掺杂粒子导致特殊磁性产生机制 | 第72-73页 |
| ·Cu-TiO_2晶体中的缺陷稳定性与磁性研究 | 第73-81页 |
| ·计算缺陷形成能相关基本设置 | 第74-75页 |
| ·计算结果与分析 | 第75-81页 |
| ·Cu-TiO_(2-x)薄膜中磁性产生机制研究 | 第81-85页 |
| ·本章小结 | 第85-87页 |
| 第5章 C-TiO_2光催化与磁性能的第一性原理研究 | 第87-99页 |
| ·C掺杂TiO_2的缺陷稳定性与光催化性能研究 | 第87-92页 |
| ·计算方法 | 第88-89页 |
| ·计算结果与讨论 | 第89-92页 |
| ·C掺杂TiO_2的磁性能研究 | 第92-98页 |
| ·计算方法 | 第92页 |
| ·计算结果与讨论 | 第92-98页 |
| ·结论 | 第98-99页 |
| 结论 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-118页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 个人简历 | 第121页 |
