第一章 引言 | 第1-15页 |
参考文献 | 第13-15页 |
第二章 脉冲高能X射线光子注量测量研究 | 第15-61页 |
1 国内外研究现状 | 第15-19页 |
1.1 脉冲计量测量的研究状况及研究方法 | 第15-16页 |
1.2 脉冲高能光子注量测量的研究现状 | 第16-17页 |
1.3 脉冲X射线能谱测定的研究现状 | 第17-19页 |
2 探测器的选择 | 第19-21页 |
3 LiFTLD基本剂量学性能研究 | 第21-24页 |
3.1 LiFTLD的重复性检测 | 第21-22页 |
3.2 LiF(Mg,Cu,P)TLD的线性响应范围 | 第22-23页 |
3.3 LiFTLD响应的率依赖性 | 第23-24页 |
4 光子注量测量测量原理 | 第24-37页 |
4.1 小块介质γ吸收剂量的测定原理 | 第24-27页 |
4.2 由小块LiF介质的吸收剂量推算光子注量 | 第27-28页 |
4.3 固体电离室的研制 | 第28-32页 |
4.4 固体电离室的单位光子注量-吸收剂量转换因子{C_i}的计算 | 第32-37页 |
5 高能电子轫致辐射谱的实验测定 | 第37-55页 |
5.1 高能电子轫致辐射谱的实验测定方法 | 第37-53页 |
5.2 用M-C方法(EGS4程序)计算12MV-X射线的谱 | 第53-54页 |
5.3 12MV-X射线光子注量计算 | 第54-55页 |
6 结论 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-61页 |
第三章 快中子脉冲堆光子注量测量研究 | 第61-102页 |
1 国内外研究现状 | 第61-66页 |
1.1 脉冲堆n、γ混合场中n、γ区分测量的研究现状 | 第61-63页 |
1.2 LiFTLD对中子响应的LET效应的研究现状 | 第63-66页 |
2 快中子脉冲堆n、γ混合场中n、γ区分测量的实验研究 | 第66-68页 |
2.1 测量方法 | 第66页 |
2.2 测量原理 | 第66-68页 |
3 LiFTLD中子剂量学性能检测 | 第68-73页 |
3.1 经快中子照射后对γ灵敏度的影响的实验研究 | 第68-70页 |
3.2 LiFTLD受快中子照射后的发光曲线实验研究 | 第70-73页 |
4 LiFTLD对中子的响应的LET效应研究 | 第73-86页 |
4.1 LET效应因子的定义 | 第73-76页 |
4.2 LiFTLD对热中子响应的ELET的实验测定 | 第76-81页 |
4.3 LiFTLD对加速器中子响应的LET效应因子的实验测定 | 第81-86页 |
5 CFBR-Ⅱ快中子堆辐射场γ光子注量的实验测定 | 第86-92页 |
5.1 ~6LiF—~7LiFTLD成对使用区分测量n、γ混合场的可行性 | 第87-90页 |
5.2 快中子堆堆外场点光子照射量的测量结果 | 第90-92页 |
6 提高脉冲堆光子注量测量精度的方法 | 第92-94页 |
7 快中子堆缓发裂变产物γ对瞬发裂变γ干扰的剔除 | 第94-96页 |
8 脉冲堆堆外场点光子注量的计算 | 第96-97页 |
9 结论 | 第97-98页 |
参考文献 | 第98-102页 |
第四章 结论和后续研究方向 | 第102-107页 |
1 主要结论 | 第102-105页 |
2 本课题的创新点 | 第105-106页 |
3 后续研究方向 | 第106-107页 |
致谢 | 第107-108页 |
附录A | 第108-109页 |
附录B | 第109-110页 |
附录C | 第110-116页 |
附录D | 第116-118页 |
附录E | 第118-119页 |