多孔硅的制备及稳定化研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| ·多孔硅的研究历史 | 第8-9页 |
| ·多孔硅的制备研究 | 第9-12页 |
| ·化学腐蚀法 | 第9页 |
| ·阳极氧化法 | 第9-11页 |
| ·火花放电腐蚀法 | 第11页 |
| ·激光辐射腐蚀法 | 第11页 |
| ·水热腐蚀法 | 第11-12页 |
| ·多孔硅的微观结构和形成机理 | 第12-15页 |
| ·多孔硅的微观结构 | 第12-13页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第13-14页 |
| ·3 多孔硅形成的理论模型 | 第14-15页 |
| ·多孔硅的稳定化研究 | 第15-16页 |
| ·阴极还原表面处理技术 | 第16页 |
| ·阳极氧化表面处理技术 | 第16页 |
| ·超临界干燥处理技术 | 第16页 |
| ·多孔硅的应用与展望 | 第16-17页 |
| ·多孔硅在高能材料领域的研究 | 第17页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第17-18页 |
| 2 多孔硅的制备研究 | 第18-26页 |
| ·由片状硅片化学腐蚀法制备多孔硅 | 第18-19页 |
| ·反应试剂 | 第18页 |
| ·制备试验 | 第18页 |
| ·实验原理 | 第18-19页 |
| ·由多晶硅粉化学腐蚀制备多孔硅 | 第19-20页 |
| ·反应试剂 | 第19页 |
| ·实验步骤 | 第19-20页 |
| ·实验现象 | 第20页 |
| ·实验原理 | 第20页 |
| ·原电池法制备多孔硅 | 第20-22页 |
| ·反应试剂 | 第20-21页 |
| ·实验步骤 | 第21页 |
| ·实验现象 | 第21页 |
| ·实验原理和装置 | 第21-22页 |
| ·双槽电化学腐蚀法制备多孔硅 | 第22-26页 |
| ·反应试剂与仪器 | 第22页 |
| ·实验步骤 | 第22-23页 |
| ·实验现象 | 第23页 |
| ·电化学腐蚀法的原理 | 第23-26页 |
| 3 制备方法及工艺条件对多孔硅产品的影响 | 第26-42页 |
| ·多晶硅粉和片状硅片化学腐蚀法制备的多孔硅比较 | 第26页 |
| ·电化学法与化学腐蚀法的比较 | 第26-29页 |
| ·多孔硅参数的研究 | 第29-36页 |
| ·多孔硅孔隙率的研究 | 第29-33页 |
| ·多孔硅层厚度的研究 | 第33-35页 |
| ·生成多孔硅重量的研究 | 第35-36页 |
| ·电压随时间的变化 | 第36-37页 |
| ·氢氟酸浓度对多孔硅制备的影响 | 第37页 |
| ·电解液成分对多孔硅制备的影响 | 第37-38页 |
| ·电流强度和时间对多孔硅制备的影响 | 第38-39页 |
| ·正交实验法确定实验最佳方案 | 第39-41页 |
| ·从孔隙率方面优化实验参数 | 第39-40页 |
| ·从生成多孔硅质量方面优化实验参数 | 第40-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 4 多孔硅的稳定化研究 | 第42-48页 |
| ·阴极还原表面处理法 | 第42页 |
| ·阳极氧化表面处理法 | 第42-43页 |
| ·硅烷偶联剂表面处理技术 | 第43-46页 |
| ·先阴极还原再用硅烷偶联剂处理 | 第46-47页 |
| ·实验方法 | 第46页 |
| ·实验现象 | 第46-47页 |
| ·先阳极氧化再用硅烷偶联剂处理 | 第47页 |
| ·实验方法 | 第47页 |
| ·实验现象 | 第47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 5 结论 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
