| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| ·电介质材料 | 第8-10页 |
| ·微波介质材料研究背景 | 第10-13页 |
| ·微波介质谐振器 | 第10-11页 |
| ·微波介质材料的选择标准 | 第11-13页 |
| ·微波调谐器件的发展 | 第13页 |
| ·BZN 薄膜的简介及研究现状 | 第13-18页 |
| ·BZN 材料的结构 | 第14-16页 |
| ·BZN 材料介电可调性的机理 | 第16-17页 |
| ·BZN 薄膜的研究现状 | 第17-18页 |
| ·本论文的选题依据和研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 BZN 薄膜的研究方案 | 第19-31页 |
| ·磁控溅射 | 第20-23页 |
| ·溅射原理 | 第20-21页 |
| ·直流溅射和射频溅射 | 第21-22页 |
| ·磁控溅射 | 第22-23页 |
| ·BZN 薄膜微观结构表征方法 | 第23-27页 |
| ·X 射线衍射原理 | 第23-25页 |
| ·AFM 的工作原理 | 第25-27页 |
| ·SEM 的工作原理 | 第27页 |
| ·电学性能测试 | 第27-31页 |
| ·电容器结构的选择 | 第27-29页 |
| ·电极的制备 | 第29页 |
| ·介电常数的测量 | 第29页 |
| ·可调率的测量 | 第29-30页 |
| ·介电损耗的测量 | 第30-31页 |
| 第三章 BZN 薄膜的制备 | 第31-49页 |
| ·BZN 靶材的制备 | 第31-36页 |
| ·原材料的选择 | 第31页 |
| ·制备工艺 | 第31-33页 |
| ·工艺条件对BZN 靶材的影响 | 第33-36页 |
| ·基片的选择 | 第36页 |
| ·溅射法制备BZN 薄膜的工艺 | 第36-43页 |
| ·溅射参数的选择 | 第36-37页 |
| ·溅射气压的影响 | 第37-40页 |
| ·Ar/O2 的影响 | 第40-41页 |
| ·沉积温度的影响 | 第41-43页 |
| ·后退火处理对BZN 薄膜的影响 | 第43-46页 |
| ·外加偏压对BZN 薄膜的影响 | 第46-47页 |
| ·优化的工艺条件 | 第47-49页 |
| 第四章 BZN 薄膜的介电性能研究 | 第49-61页 |
| ·靶材配比的确定 | 第49-52页 |
| ·靶材中Zn 过量比例的确定 | 第49-51页 |
| ·配比为Bi1.55Zn1.53N61.5O7.63 的靶材制备的薄膜结构 | 第51-52页 |
| ·两种靶材制备的BZN 薄膜的介电性能 | 第52页 |
| ·工艺条件对薄膜介电性能的影响 | 第52-58页 |
| ·气压对薄膜介电性能的影响 | 第52-54页 |
| ·沉积温度对薄膜介电性能的影响 | 第54-56页 |
| ·退火温度对薄膜介电性能的影响 | 第56-58页 |
| ·BZN 薄膜的主要介电性能 | 第58页 |
| ·介电常数和可调率的频率谱 | 第58-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第68-69页 |