| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-22页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·SiC纳米线的研究现状 | 第7-12页 |
| ·SiC纳米线的制备方法与生长机制 | 第8-11页 |
| ·基于气相-液相-固相(VLS)生长机制的制备方法 | 第8-9页 |
| ·基于溶液-液相-固相(SLS)生长机制的制备方法 | 第9-10页 |
| ·基于氧化物辅助生长机制的制备方法 | 第10页 |
| ·模板法 | 第10-11页 |
| ·SiC纳米线目前存在的问题 | 第11-12页 |
| ·碳纳米管 | 第12-18页 |
| ·以碳纳米管为模板概述 | 第12-13页 |
| ·以碳纳米管为模板制备纳米材料 | 第13-18页 |
| ·填充碳纳米管 | 第13-16页 |
| ·包覆碳纳米管 | 第16-17页 |
| ·碳纳米管限制性反应 | 第17页 |
| ·碳纳米管取代反应 | 第17-18页 |
| ·混杂纳米复合材料的研究现状 | 第18页 |
| ·混杂纳米复合材料的制备方法 | 第18页 |
| ·Fe_2O_3纳米线的研究现状 | 第18-20页 |
| ·Fe_2O_3纳米线的研究意义 | 第18-19页 |
| ·Fe_2O_3纳米线的制备方法 | 第19页 |
| ·直接氧化法制备Fe_2O_3纳米线及生长机理 | 第19-20页 |
| ·本试验的思路与创新之处 | 第20-22页 |
| 第二章 试验原料与试验装置 | 第22-25页 |
| ·试验原料 | 第22页 |
| ·试验装置 | 第22-24页 |
| ·电镀装置 | 第22-23页 |
| ·溅射镀膜装置 | 第23页 |
| ·管式退火炉 | 第23-24页 |
| ·井式炉 | 第24页 |
| ·样品表征设备 | 第24-25页 |
| ·透射电镜(TEM) | 第24页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第24-25页 |
| 第三章 碳纳米管与块体硅材料高温反应的研究 | 第25-37页 |
| ·碳纳米管的制备 | 第25-31页 |
| ·催化剂的制备 | 第25-26页 |
| ·电镀-退火二步法样品制备 | 第25页 |
| ·溅射-退火二步法样品制备 | 第25-26页 |
| ·催化剂的表征 | 第26-28页 |
| ·电镀-退火二步法样品表征 | 第26-27页 |
| ·溅射-退火二步法样品表征 | 第27-28页 |
| ·CVD法制备碳纳米管 | 第28-31页 |
| ·两步法制备 | 第28页 |
| ·两步法碳纳米管样品的表征 | 第28-29页 |
| ·一步法制备 | 第29页 |
| ·一步法碳纳米管样品的表征 | 第29-31页 |
| ·SiC纳米线制备与表征 | 第31-33页 |
| ·样品的制备 | 第31页 |
| ·样品的表征 | 第31-32页 |
| ·SiC纳米线成线机理分析 | 第32-33页 |
| ·超细SiC纳米线 | 第33-35页 |
| ·样品的制备 | 第33页 |
| ·样品的表征 | 第33-34页 |
| ·成线机理分析 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 SiO_2纳米线表面附着Fe颗粒的混杂纳米结构 | 第37-43页 |
| ·样品的制备 | 第37-38页 |
| ·SiO_2纳米线的制备 | 第37-38页 |
| ·混杂纳米结构的制备 | 第38页 |
| ·SiO_2纳米线 | 第38-39页 |
| ·SiO_2纳米线表征 | 第38页 |
| ·SiO_2纳米线生成机理 | 第38-39页 |
| ·Fe纳米颗粒 | 第39-42页 |
| ·Fe纳米颗粒的表征 | 第39-40页 |
| ·Fe纳米颗粒的分布 | 第40-41页 |
| ·Fe纳米颗粒的形成机理 | 第41-42页 |
| ·今后研究方向 | 第42-43页 |
| 第五章 直接氧化法制备Fe_2O_3纳米线及机理研究 | 第43-50页 |
| ·Fe_2O_3纳米线的制备 | 第43页 |
| ·样品的表征 | 第43-48页 |
| ·Fe粉样品的表征 | 第44-45页 |
| ·表面形貌 | 第44-45页 |
| ·结构及成分 | 第45页 |
| ·Fe膜样品的表征 | 第45-48页 |
| ·机理分析 | 第48-49页 |
| ·Fe基体尺寸的影响 | 第48页 |
| ·反应温度的影响 | 第48-49页 |
| ·Fe_2O_3纳米线成线机理 | 第49页 |
| ·今后研究方向 | 第49-50页 |
| 第六章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
