| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-18页 |
| ·MMIC 国内外发展动态 | 第12-15页 |
| ·MMIC 技术特点与应用 | 第15-16页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第16-18页 |
| 第二章 MMIC 工艺及器件 | 第18-31页 |
| ·GAAS MESFET 工艺 | 第18-20页 |
| ·GAAS HEMT/PHEMT 工艺 | 第20-23页 |
| ·无源器件 | 第23-29页 |
| ·电阻 | 第23-24页 |
| ·电容 | 第24-26页 |
| ·电感 | 第26-27页 |
| ·微带线 | 第27-29页 |
| ·有源器件 | 第29-31页 |
| 第三章 MMIC 功率放大器技术 | 第31-39页 |
| ·功率放大器原理和特点 | 第31-34页 |
| ·A 类放大器 | 第31-32页 |
| ·B 类放大器 | 第32-33页 |
| ·其他（C、D、E 和F）类放大器 | 第33-34页 |
| ·单片微波集成功率放大器主要技术参数 | 第34-39页 |
| ·功率增益 | 第34-36页 |
| ·1dB 压缩点 | 第36页 |
| ·电路稳定性 | 第36-38页 |
| ·效率 | 第38页 |
| ·输入输出电压驻波比（VSWR） | 第38-39页 |
| 第四章 MMIC 功率放大器芯片设计技术 | 第39-45页 |
| ·芯片拓扑结构 | 第39-41页 |
| ·晶体管特点 | 第41-42页 |
| ·晶体管热分析理论 | 第42-45页 |
| ·晶体管沟道热分析理论 | 第42-43页 |
| ·封装结构模型 | 第43-45页 |
| 第五章 单片集成功率放大器的设计 | 第45-77页 |
| ·主要技术指标和设计方案 | 第45-46页 |
| ·直流偏置电路设计 | 第46-49页 |
| ·单级电路设计 | 第49-56页 |
| ·输出级电路设计 | 第49-53页 |
| ·中间级电路设计 | 第53-55页 |
| ·输入级电路设计 | 第55-56页 |
| ·功率分配合成网络 | 第56-60页 |
| ·功率放大器仿真 | 第60-77页 |
| ·功率放大器原理图仿真和版图 | 第60-64页 |
| ·功率放大器电磁仿真 | 第64-66页 |
| ·热分析 | 第66-71页 |
| ·功率放大器成品率分析 | 第71-73页 |
| ·与TriQuint 公司TGA4516 芯片性能指标作对比 | 第73-77页 |
| 第六章 总结 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第81-82页 |