单粒子效应电路模拟方法研究
| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| ·课题研究背景 | 第11-12页 |
| ·课题研究现状 | 第12-15页 |
| ·国外研究现状 | 第12-14页 |
| ·国内研究现状 | 第14-15页 |
| ·课题研究内容 | 第15页 |
| ·论文结构 | 第15-16页 |
| 第二章 单粒子效应概述 | 第16-30页 |
| ·单粒子效应产生的环境 | 第16-19页 |
| ·空间辐射环境 | 第16-17页 |
| ·核辐射环境 | 第17-18页 |
| ·大气环境 | 第18页 |
| ·地面环境 | 第18-19页 |
| ·单粒子效应的分类 | 第19-23页 |
| ·单粒子效应量化表述 | 第23-25页 |
| ·单粒子效应对集成电路的影响 | 第25-29页 |
| ·对时序电路的影响 | 第25-27页 |
| ·对组合电路的影响 | 第27-28页 |
| ·对时钟复位网络的影响 | 第28页 |
| ·对模拟电路的影响 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 单粒子效应的机理与解析分析 | 第30-39页 |
| ·重带电粒子与物质的相互作用 | 第30-35页 |
| ·电离和激发 | 第30-31页 |
| ·重带电粒子的电离损失 | 第31-33页 |
| ·重带电粒子的吸收和射程 | 第33-34页 |
| ·关于SRIM | 第34-35页 |
| ·电荷收集双指数模型解析分析与优化 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 单粒子效应的模拟方法 | 第39-54页 |
| ·工艺对准 | 第39-41页 |
| ·器件级单粒子效应模拟和数值拟合 | 第41-49页 |
| ·电路级模拟和混合模拟 | 第49-51页 |
| ·与其它方法的比较 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 单粒子效应模拟方法在SRAM设计中的应用 | 第54-64页 |
| ·设计加固存储单元总结 | 第54-56页 |
| ·各单元尺寸确定 | 第56-57页 |
| ·存储单元的模拟比较 | 第57-63页 |
| ·抗单粒子翻转性能的比较 | 第57-62页 |
| ·一般性能的比较 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 结束语 | 第64-65页 |
| ·全文工作总结 | 第64页 |
| ·进一步工作展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第69页 |
