| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 引言 | 第9-15页 |
| ·薄膜研究的发展概况 | 第9-11页 |
| ·现阶段薄膜生长的研究方法 | 第11-13页 |
| ·表面吸附原子扩散在研究薄膜生长中的作用 | 第13-14页 |
| ·本论文工作的主要目的和研究重点 | 第14-15页 |
| 2 计算机模拟及分子动力学方法 | 第15-28页 |
| ·计算机模拟的意义及发展概况 | 第15-17页 |
| ·分子动力学原理 | 第17-22页 |
| ·分子动力学基本方程 | 第18-19页 |
| ·分子动力学算法 | 第19-22页 |
| ·计算机模拟中的原子间相互作用势 | 第22-27页 |
| ·原子间相互作用势的种类 | 第23-24页 |
| ·基于有效介质方法的原子间相互作用势 | 第24-25页 |
| ·EAM原子间相互作用势 | 第25-27页 |
| ·模拟中使用的近似 | 第27-28页 |
| 3 CU(001)表面CU吸附原子扩散行为研究 | 第28-39页 |
| ·相关参量的计算方法 | 第29-31页 |
| ·计算模型 | 第29-30页 |
| ·表面势垒的计算方法 | 第30页 |
| ·表面局域压力的计算方法 | 第30-31页 |
| ·表面吸附原子所导致的晶格畸变 | 第31-33页 |
| ·表面吸附原子所导致的基体原子位置变化情况 | 第31-32页 |
| ·表面吸附原子对基体最表层局域压力的影响 | 第32-33页 |
| ·吸附原子沿低局域应力沟道的扩散 | 第33-35页 |
| ·低局域压力沟道上吸附原子正反向扩散势垒比较 | 第33-34页 |
| ·基体晶格畸变场间的相互作用分析 | 第34-35页 |
| ·非应力沟道位置的吸附原子扩散行为 | 第35-38页 |
| ·非应力沟道位置的吸附原子扩散势垒的计算 | 第35-36页 |
| ·暂稳态二聚体存在的范围 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 4 CU(001)表面二聚体扩散行为研究 | 第39-56页 |
| ·表面二聚体的跳跃扩散机制 | 第39-41页 |
| ·传统概念上二聚体的跳跃扩散机制 | 第39-41页 |
| ·暂稳态存在时二聚体的跳跃扩散 | 第41页 |
| ·相关参量的计算方法 | 第41-45页 |
| ·表面二聚体寿命的计算方法 | 第41-44页 |
| ·扩散系数的计算方法 | 第44页 |
| ·表面二聚体的跳跃扩散势垒 | 第44-45页 |
| ·暂稳态的存在对CU(001)表面CU-CU二聚体扩散的影响 | 第45-51页 |
| ·暂稳态存在时表面二聚体的寿命和扩散系数 | 第45-49页 |
| ·暂稳态存在时表面二聚体扩散的Arrhenius行为 | 第49-51页 |
| ·异质表面二聚体扩散行为研究 | 第51-55页 |
| ·异质表面二聚体的寿命比较 | 第51-52页 |
| ·异质表面二聚体的扩散系数 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第65页 |