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电沉积并硫化合成FeS2薄膜制备工艺及光电性能

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第一章 绪论第10-30页
 1.1 引言第10-11页
 1.2 FeS_2薄膜研究的兴起第11-12页
 1.3 FeS_2薄膜的晶体结构第12-13页
 1.4 FeS_2薄膜的研究现状第13-28页
  1.4.1 FeS_2薄膜的制备方法第13-23页
   1.4.1.1 热蒸镀及闪蒸镀第13-14页
   1.4.1.2 化学气相沉积(CVD)第14-16页
   1.4.1.3 离子溅射和磁控溅射第16-17页
   1.4.1.4 离子溅射和磁控溅射第17-18页
   1.4.1.5 化学气相输运(CVT)第18-19页
   1.4.1.6 分子束外延生长(MBE)第19页
   1.4.1.7 Fe膜的热硫化第19-21页
   1.4.1.8 氧化铁膜的硫化第21-22页
   1.4.1.9 电沉积第22-23页
  1.4.2 FeS_2薄膜的光电性能第23-27页
   1.4.2.1 制备方法对FeS_2薄膜光电性能的影响第23-24页
   1.4.2.2 硫化工艺对FeS_2薄膜光电性能的影响第24-25页
   1.4.2.3 掺杂对FeS_2薄膜光电性能的影响第25-27页
  1.4.3 FeS_2薄膜的光电转化效率第27-28页
 1.5 FeS_2薄膜研究中存在的问题及发展方向第28-30页
第二章 实验方法第30-33页
 2.1 FeS_2薄膜的制备第30-31页
 2.2 FeS_2薄膜的性能测试第31-33页
第三章 硫化时间对FeS_2薄膜组织结构及光电性能的影响第33-44页
 3.1 先驱体薄膜的形成和检测第33-34页
 3.2 硫化时间对FeS_2薄膜晶体结构的影响第34-35页
 3.3 硫化时间对薄膜晶体尺寸的影响第35-36页
 3.4 硫化时间对薄膜晶格常数的影响第36-38页
 3.5 硫化时间对薄膜组织形貌的影响第38-39页
 3.6 硫化时间对薄膜光学性能的影响第39-40页
 3.7 硫化时间对薄膜电学性能的影响第40-42页
 3.8 硫化时间对薄膜导电类型的影响第42-43页
 本章小结第43-44页
第四章 硫化压力对FeS_2薄膜组织结构及光电性能的影响第44-54页
 4.1 硫化压力对FeS_2薄膜晶体结构的影响第44-45页
 4.2 硫化压力对薄膜晶粒尺寸的影响第45-46页
 4.3 硫化压力对薄膜晶格常数的影响第46-47页
 4.4 硫化压力对薄膜组织形貌的影响第47-48页
 4.5 硫化压力对薄膜光学性能的影响第48-51页
 4.6 硫化压力对薄膜电学性能的影响第51-53页
 4.7 硫化压力对薄膜导电类型的影响第53页
 本章小结第53-54页
第五章 硫化温度对FeS_2薄膜组织结构及光电性能的影响第54-66页
 5.1 反应热力学分析第54-55页
 5.2 硫化温度对FeS_2薄膜晶体结构的影响第55-56页
 5.3 硫化温度对薄膜晶粒尺寸的影响第56-58页
 5.4 硫化温度对薄膜晶格常数的影响第58-59页
 5.5 硫化温度对薄膜组织形貌的影响第59-60页
 5.6 硫化温度对薄膜光学性能的影响第60-63页
 5.7 硫化温度对薄膜电学性能的影响第63-64页
 5.8 硫化温度对薄膜导电类型的影响第64-65页
 本章小结第65-66页
第六章 结论第66-67页
参考文献第67-74页
攻读硕士学位期间发表的论文第74-75页
致谢第75页

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