| 1 前言 | 第1-8页 |
| 2 Hubbard模型 | 第8-18页 |
| ·强关联电子体系 | 第8-10页 |
| ·三带Hubbard模型 | 第10-12页 |
| ·两带Hubbard模型 | 第12-14页 |
| ·单带Hubbard模型 | 第14-15页 |
| ·扩展Hubbard模型 | 第15-16页 |
| ·小结 | 第16-18页 |
| 3 约束路径蒙特卡罗方法(CPMC方法) | 第18-34页 |
| ·约束路径蒙特卡罗方法的理论基础 | 第18-21页 |
| ·约束路径蒙特卡罗方法的两个基本特点 | 第21-25页 |
| ·单带Hubbard模型中的CPMC方法的实现 | 第25-33页 |
| ·约束路径蒙特卡罗方法的实现步骤 | 第26-27页 |
| ·基态能量以及对关联函数的具体结果 | 第27-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 4 高温超导体中环形电流相的量子蒙特卡罗模拟 | 第34-52页 |
| ·边缘费米液体理论 | 第34-36页 |
| ·高温超导体中的环形电流相 | 第36-39页 |
| ·环形电流相的序参量及哈密顿量 | 第39-42页 |
| ·环形电流相的量子蒙特卡罗模拟 | 第42-51页 |
| ·环形电流相的有关算符 | 第43-44页 |
| ·环形电流相的关联函数 | 第44页 |
| ·三带Hubbard模型中环形电流相的量子蒙特卡罗模拟 | 第44-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 5 结论与展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |