首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体三极管(晶体管)论文

大功率IGBT模块并联特性及缓冲电路研究

1 概述第1-13页
   ·本课题的研究背景第8-10页
     ·特种脉冲电源主开关器件的选择第8-10页
     ·本课题的提出第10页
   ·并联及缓冲电路发展现状第10-12页
     ·IGBT并联特性的研究现状第10-11页
     ·缓冲电路的进展第11-12页
   ·课题目的和主要任务第12-13页
2 大功率IGBT工作原理及应用要求第13-24页
   ·IGBT的工作原理和工作特性第13-17页
     ·工作原理第13-14页
     ·基本特性与主要参数第14-16页
     ·擎住效应和安全工作区第16-17页
   ·IGBT的驱动电路第17-20页
     ·IGBT对栅极驱动电路的要求第17-18页
     ·厚膜集成驱动器M57962AL第18-20页
   ·IGBT的保护第20-24页
     ·过电流保护第20-23页
     ·其它的保护措施第23-24页
3 IGBT模块的并联特性分析第24-43页
   ·影响并联均流的因素及改善措施第24-30页
     ·静态均流特性分析第24-27页
     ·动态均流特性分析第27-30页
     ·改善并联均流的措施第30页
   ·对并联不均流的仿真分析第30-37页
     ·驱动电路对并联均流的影响第32-34页
     ·器件参数对并联均流的影响第34-35页
     ·引线电感对并联均流的影响第35-36页
     ·温度对并联均流的影响第36-37页
   ·改善并联不均流的仿真分析第37-41页
     ·调节栅极电阻法第37-40页
     ·串联电阻法第40-41页
   ·并联模块的驱动及布线第41-43页
4 IGBT缓冲电路的分析与设计第43-68页
   ·IGBT的缓冲电路概述第43-46页
     ·开关管缓冲电路的分类和作用第43-45页
     ·IGBT缓冲电路特点及常用拓扑结构第45-46页
   ·缓冲电路的工作原理及参数计算第46-53页
     ·尖峰电压产生的原因第46-47页
     ·缓冲电路的工作过程分析第47-48页
     ·缓冲电路元件的参数计算第48-53页
   ·对缓冲电路的仿真分析第53-62页
     ·几种缓冲电路拓补的比较第53-54页
     ·对B型缓冲电路的仿真分析第54-55页
     ·B型缓冲电路各参数对关断电压的影响第55-58页
     ·缓冲电路对阻性负载功率主电路的影响第58-62页
   ·功率电路及其缓冲电路设计中应注意的问题第62-64页
     ·功率电路设计中应注意的问题第62页
     ·缓冲电路设计中应注意的问题第62-64页
   ·减小开关损耗的轨迹法第64-68页
5 实际电源主电路的并联及缓冲电路的设计与实现第68-81页
   ·IGBT并联及缓冲电路的参数设计第69-72页
     ·并联电路参数设计第69-70页
     ·缓冲电路参数设计第70-72页
   ·实际电源主电路的仿真分析第72-78页
     ·直流斩波条件下的仿真结果第72-74页
     ·逆变条件下的仿真结果第74-78页
   ·实验结果第78-81页
6 全文总结第81-83页
致谢第83-84页
参考文献第84-88页
附录第88页

论文共88页,点击 下载论文
上一篇:带缝空心R.C.剪力墙结构抗震性能试验研究及有限元分析
下一篇:基于FPGA的PCI总线数据传输系统在高速绘图机上的研制与开发