建立与XPS/AES相连的阴极研究系统
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-21页 |
| ·电子发射体及其理论简介 | 第7-9页 |
| ·电子发射体 | 第7-8页 |
| ·电子发射体的理论体系 | 第8-9页 |
| ·阴极研究的新进展 | 第9-14页 |
| ·高电流密度热阴极的发展 | 第9-11页 |
| ·稀土金属型热电子发射材料的进展 | 第11-14页 |
| ·电子发射体研究中表面分析的意义 | 第14-17页 |
| ·表面和表面分析技术简介 | 第14-16页 |
| ·表面分析对电子发射体的重要意义 | 第16-17页 |
| ·本论文的研究目的、内容与实验方案 | 第17-21页 |
| ·研究目的 | 第17-18页 |
| ·研究内容 | 第18页 |
| ·实验方案 | 第18-21页 |
| 第2章 与XPS／AES相连的阴极研究系统的论证 | 第21-45页 |
| ·建立与XPS／AES相连的阴极研究系统的目的 | 第21页 |
| ·表面分析手段的选择 | 第21-30页 |
| ·俄歇能谱仪是重要的表面分析手段 | 第24-26页 |
| ·俄歇能谱仪在研究电子的发射过程有重要应用 | 第26-29页 |
| ·俄歇能谱仪的基本组成 | 第29-30页 |
| ·淀积装置的选择 | 第30-36页 |
| ·阴极发射性能的测试及装置 | 第36-43页 |
| ·阴极发射性能的表征 | 第36-41页 |
| ·发射性能的测量设备及其方法 | 第41-43页 |
| ·建立与AES相连的PLD装置的重要意义 | 第43-45页 |
| 第3章 与AES相连的PLD装置的建立 | 第45-57页 |
| ·PHI 550俄歇能谱仪简介 | 第45页 |
| ·激光器的选择 | 第45-51页 |
| ·激光与物质的相互作用 | 第46-49页 |
| ·YAG和准分子激光器的比较 | 第49-51页 |
| ·装置的设计 | 第51-57页 |
| 第4章 阴极沉积样品的制备及分析 | 第57-77页 |
| ·激光与靶材的相互作用 | 第57-60页 |
| ·作用机制 | 第57-58页 |
| ·薄膜的成核与生长理论 | 第58-60页 |
| ·PLD相关技术 | 第60-65页 |
| ·消颗粒技术 | 第60-61页 |
| ·测温和控温技术 | 第61-62页 |
| ·基片加热技术 | 第62-63页 |
| ·扫描技术 | 第63页 |
| ·基片预处理技术 | 第63-64页 |
| ·缓冲层技术 | 第64页 |
| ·PLD的最佳沉积条件 | 第64-65页 |
| ·PLD的实验过程 | 第65页 |
| ·实验方法及PLD系统校准过程 | 第65-70页 |
| ·BTS的沉积过程 | 第66-67页 |
| ·实验结果及分析 | 第67-70页 |
| ·阴极沉积样品实验及其分析 | 第70-74页 |
| ·靶材和基片准备 | 第71页 |
| ·试验设备调试及薄膜制备 | 第71-72页 |
| ·实验结果及分析 | 第72-74页 |
| ·实验结论 | 第74-75页 |
| ·下一部研究的设想 | 第75-77页 |
| 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
