| 致谢 | 第1-3页 |
| 摘要 | 第3-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 第一章 概论 | 第12-25页 |
| ·SOI技术的发展概况 | 第12-14页 |
| ·SOI材料的制备方法 | 第14-18页 |
| ·注氧隔离技术(SIMOX) | 第15-17页 |
| ·智能剥离技术(Smart-Cut) | 第17-18页 |
| ·SOI技术的应用 | 第18-20页 |
| ·SOI材料质量表征 | 第20-21页 |
| ·本论文工作 | 第21-23页 |
| 参考文献: | 第23-25页 |
| 第二章 原始注入的SIMOX红外光学特征及注入剂量的光学表征 | 第25-52页 |
| ·多层介质膜的光学效应 | 第26-35页 |
| ·光在多层介质膜中的传播 | 第26-32页 |
| ·宏观光学参数与多层介质膜微结构的关系 | 第32-35页 |
| ·原始注入的SIMOX的微观结构分析 | 第35-36页 |
| ·原始注入的SIMOX光学模型的建立 | 第36-40页 |
| ·原始注入的SIMOX的红外光学测量方法 | 第40-41页 |
| ·原始注入的SIMOX的光学性质与微结构的关系 | 第41-47页 |
| ·原始注入的SIMOX的注入剂量的光学表征 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第三章 SIMOX电学性能表征 | 第52-73页 |
| ·MOS模型原理 | 第53-60页 |
| ·SIS电容模型 | 第60-66页 |
| ·SIS电容模型原理 | 第60-63页 |
| ·SIS的实验结果和参数提取 | 第63-66页 |
| ·MOSOS模型 | 第66-70页 |
| ·MOSOS模型原理 | 第66-70页 |
| ·MOSOS实验结果和参数提取 | 第70页 |
| ·小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第四章 SIMOX Top Si层电荷输运现象研究 | 第73-95页 |
| ·霍耳效应(Hall Effect) | 第74-78页 |
| ·SIMOX霍耳效应实验(Hall Effect) | 第78-84页 |
| ·77～290K范围内SIMOX霍耳效应 | 第79-82页 |
| ·290～500K温度范围SIMOX霍耳效应 | 第82-84页 |
| ·深能级瞬态谱DLTS(Deep-Level Transient Spectoscopy) | 第84-90页 |
| ·SIMOX深能级瞬态谱(DLTS) | 第90-92页 |
| ·深能级瞬态谱DLTS样品制备 | 第90-91页 |
| ·SIMOX的深能级瞬态谱(DLTS)结果 | 第91-92页 |
| ·小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-95页 |
| 第五章 导电原子力显微镜(C-AFM)在SIMOX材料表征上的应用 | 第95-115页 |
| ·导电原子力显微镜(C-AFM) | 第96-98页 |
| ·SIMOX样品制备 | 第98-99页 |
| ·SIMOX样品微结构 | 第99-103页 |
| ·SIMOX的C-AFM样品制备 | 第103页 |
| ·SIMOX导电原子力显微镜 | 第103-111页 |
| ·小结 | 第111-113页 |
| 参考文献 | 第113-115页 |
| 结论 | 第115-117页 |
| 发表文章目录 | 第117-119页 |
| 个人简介 | 第119页 |
