| 中文摘要 | 第1-19页 |
| 1 绪论 | 第19-28页 |
| 1．1 HgCdTe红外探测器 | 第19-21页 |
| 1．2 HeCdTe红外焦平面探测器急需解决的关键工艺 | 第21-23页 |
| 1．3 HgCdTe光伏器件的表面钝化简述 | 第23-24页 |
| 1．4 本文的工作和意义 | 第24-27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 2 光伏器件的表面钝化 | 第28-40页 |
| 2．1 引言 | 第28页 |
| 2．2 两种钝化膜 | 第28-32页 |
| 2．2．1 HgCdTe表面自身钝化膜（Native Layer） | 第29-30页 |
| 2．2．2 HgCdTe表面的介质钝化膜（Dielect Layer） | 第30-32页 |
| 2．3 HgCdTe表面钝化的总结 | 第32-35页 |
| 2．4 器件表面研究方法 | 第35-36页 |
| 2．5 结论 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 3 HgCdTe MIS器件的制备 | 第40-50页 |
| 3．1 引言 | 第40页 |
| 3．2 文献中对HgCdTe MIS器件的研究 | 第40-41页 |
| 3．3 MIS器件的制备 | 第41-48页 |
| 3．3．1 ZnS薄膜的制备 | 第42-44页 |
| 3．3．1．1 射频磁控溅射镀膜系统及其原理 | 第42-43页 |
| 3．3．1．2 ZnS薄膜的制备 | 第43-44页 |
| 3．3．2 电极制备 | 第44-45页 |
| 3．3．3 电极引线的焊接 | 第45-47页 |
| 3．3．4 对表面处理的研究 | 第47-48页 |
| 3．4 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 4 HgCdTe MIS器件的测试分析 | 第50-71页 |
| 4．1 引言 | 第50页 |
| 4．2 MIS器件C-V理论 | 第50-56页 |
| 4．2．1 理想MIS器件的C-V特性 | 第50-53页 |
| 4．2．2 实际MIS器件的C-V特性 | 第53-56页 |
| 4．2．3 HgCdTe MIS器件的C-V特性 | 第56页 |
| 4．3 HgCdTe MIS器件的分析测试 | 第56-67页 |
| 4．3．1 HgCdTe MIS器件均匀性的研究 | 第57-60页 |
| 4．3．2 In电极膜厚度对焊接成功率的影响 | 第60-62页 |
| 4．3．3 所制备器件的时间稳定性 | 第62-65页 |
| 4．3．4 薄膜材料和体材料的比较 | 第65-66页 |
| 4．3．5 特殊的C-V曲线分析 | 第66-67页 |
| 4．4 结论 | 第67-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 5 HeCdTe MISFET器件的研究 | 第71-93页 |
| 5．1 引言 | 第71页 |
| 5．2 MISFET的基本理论 | 第71-78页 |
| 5．2．1 MISFET的基本结构 | 第71-72页 |
| 5．2．2 MISFET的分类 | 第72-74页 |
| 5．2．3 MIS场效应晶体管的直流特性 | 第74-78页 |
| 5．2．3．1 阈值电压 | 第74页 |
| 5．2．3．2 MISFET的电流-电压关系 | 第74-77页 |
| 5．2．3．3 MISFET的直流特性曲线 | 第77-78页 |
| 5．3 MISFET器件设计思路 | 第78-81页 |
| 5．4 MISFET器件的制备 | 第81-83页 |
| 5．4．1 MISFET器件制备的工艺流程图 | 第81页 |
| 5．4．2 MISFET器件制备中的一些关键工艺 | 第81-83页 |
| 5．4．2．1 光刻 | 第81-82页 |
| 5．4．2．2 离子刻蚀技术 | 第82-83页 |
| 5．5 MISFET器件测试 | 第83-90页 |
| 5．5．1 MISFET器件场效应特性的测试分析 | 第83-85页 |
| 5．5．2 MISFET器件类型的确定 | 第85-86页 |
| 5．5．3 MISFET器件跨导g_m的计算 | 第86-88页 |
| 5．5．4 MISFET器件漏源电导g_（ds）的计算 | 第88页 |
| 5．5．5 MISFET器件电压放大系数μ的计算 | 第88-89页 |
| 5．5．6 对ZnS薄膜性能的评价 | 第89-90页 |
| 5．6 结论 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-93页 |
| 6 结束语 | 第93-98页 |
| 6．1 本文的主要工作 | 第93-94页 |
| 6．2 本文的主要结论 | 第94-96页 |
| 6．3 下一步的工作 | 第96页 |
| 6．4 本文的意义 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98页 |
