| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| 1．1 磁制冷基本原理 | 第11-14页 |
| 1．2 磁制冷的优势及潜在市场 | 第14-16页 |
| 1．3 磁致冷材料研究概述 | 第16-26页 |
| 1．4 本研究的背景及意义 | 第26-27页 |
| 1．5 GdSiGe系合金研究中尚存在的问题 | 第27-28页 |
| 1．6 本文研究思路、主要研究内容及技术路线 | 第28-31页 |
| 第二章 合金成份设计及实验方法 | 第31-47页 |
| 2．1 合金成份设计 | 第31-34页 |
| 2．2 实验方法 | 第34-47页 |
| 第三章 Gd_5Si_2Ge_2合金磁热性能重现性研究 | 第47-67页 |
| 3．1 Gd_5（Si_xGe_（1-x））_4合金一级磁相变及其在磁化过程中的反映 | 第47-49页 |
| 3．2 GdSiGe合金磁热性能及组织结构分析对比参照实验 | 第49-53页 |
| 3．3 国产Gd原料对Gd_5Si_2Ge_2合金磁热性能的重现性研究 | 第53-60页 |
| 3．4 合金的组织结构与磁性能的关系分析 | 第60-65页 |
| 3．5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第四章 非化学计量比GdSiGe合金磁热性能研究 | 第67-76页 |
| 4．1 引言 | 第67页 |
| 4．2 非化学计量比合金的设计思路 | 第67-68页 |
| 4．3 非化学计量比合金的磁热性能 | 第68-73页 |
| 4．4 分析讨论 | 第73-74页 |
| 4．5 本章结论 | 第74-76页 |
| 第五章 低成本GdSiGe合金研究 | 第76-90页 |
| 5．1 引言 | 第76-78页 |
| 5．2 低成本设计思路 | 第78-79页 |
| 5．3 国产3N、2N Gd为原料的Gd_5Si_（1．9）Ge_（2．1）合金磁热性能研究 | 第79-84页 |
| 5．4 国产2N Gd为原料的Gd_5Si_（1．72）Ge_（2．28）合金磁热性能研究 | 第84-87页 |
| 5．5 分析与讨论 | 第87-89页 |
| 5．6 本章小结 | 第89-90页 |
| 第六章 合金化对GdSiGe合金磁热性能的影响研究 | 第90-110页 |
| 6．1 引言 | 第90-91页 |
| 6．2 合金化思路 | 第91-92页 |
| 6．3 Ga对GdSiGe合金磁热性能的影响 | 第92-100页 |
| 6．4 Sn、Pb对GdSiGe合金磁热性能的影响 | 第100-105页 |
| 6．5 Se、Te、Sb对GdSiGe合金磁热性能的影响 | 第105-109页 |
| 6．6 本章小结 | 第109-110页 |
| 第七章 GdSiGe系合金磁场诱发一级相变的数学物理模型及相变机制分析 | 第110-126页 |
| 7．1 引言 | 第110-111页 |
| 7．2 Preisach铁磁滞后模型基本思想 | 第111-114页 |
| 7．3 GdSiGe系合金磁场诱发一级磁相变的数学物理模型 | 第114-119页 |
| 7．4 GdSiGe系合金的磁场诱发一级磁相变机制分析 | 第119-124页 |
| 7．5 本章小结 | 第124-126页 |
| 第八章 GdSiGe系合金的同步辐射光电子能谱（XPS）分析 | 第126-150页 |
| 8．1 引言 | 第126-127页 |
| 8．2 同步辐射XPS原理介绍 | 第127-128页 |
| 8．3 实验方法 | 第128页 |
| 8．4 数据处理 | 第128-129页 |
| 8．5 入射光子能量的选择及Gd、Si、Ge单质的特征峰的分析与标定 | 第129-137页 |
| 8．6 实验结果及分析讨论 | 第137-148页 |
| 8．7 本章小结 | 第148-150页 |
| 第九章 结论 | 第150-156页 |
| 参考文献 | 第156-162页 |
| 附件 | 第162-164页 |
| 附件1 本研究承担的科研项目 | 第162页 |
| 附件2 本研究发表的学术论文 | 第162-164页 |
| 致谢 | 第164-165页 |
