| 提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·锌的硫属化合物 | 第7-9页 |
| ·有序排列的锌硫属半导体薄膜的性质和应用 | 第9-10页 |
| ·ZnSe的电沉积制备方法 | 第10-16页 |
| ·选题的意义及背景 | 第16-18页 |
| 第二章 ZnSe/Zn准一维结构材料制备原理与方法 | 第18-21页 |
| ·实验装置 | 第18-19页 |
| ·构建超薄层形成准二维生长空间 | 第19页 |
| ·ZnSe/Zn准一维结构材料的电化学制备 | 第19-21页 |
| ·配置溶液 | 第19页 |
| ·实验过程 | 第19-20页 |
| ·电沉积法制备准一维结构材料主要实验设备 | 第20-21页 |
| 第三章 ZnSe/Zn准一维结构材料的形貌与结构表征 | 第21-31页 |
| ·电沉积制备ZnSe/Zn准一维结构材料的形貌表征 | 第21-23页 |
| ·ZnSe/Zn准一维结构材料的AFM 表征 | 第23-24页 |
| ·ZnSe/Zn准一维结构材料的成分和结构表征 | 第24-30页 |
| ·ZnSe/Zn准一维结构材料的能谱（EDS）分析 | 第24-26页 |
| ·ZnSe/Zn准一维结构材料的X 光衍射（XRD）分析 | 第26-27页 |
| ·ZnSe/Zn准一维结构材料X 光电子能谱（XPS）分析 | 第27-28页 |
| ·ZnSe/Zn准一维结构材料透射电镜（TEM）分析 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 ZnSe/Zn准一维结构材料生长机制 | 第31-44页 |
| ·ZnSe/Zn准一维结构材料生长的原理 | 第31-33页 |
| ·ZnSe/Zn准一维结构材料生长的影响因素 | 第33-38页 |
| ·ZnSe/Zn准一维结构材料阵列的脉冲沉积法 | 第38-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第五章 ZnSe/Zn准一维结构材料的性质测试与分析 | 第44-46页 |
| ·ZnSe/Zn准一维结构材料的紫外吸收光谱 | 第44-46页 |
| 第六章 结论与展望 | 第46-49页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| ·展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 摘要 | 第53-54页 |
| ABSTRACT | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
