摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第1章 引言 | 第9-17页 |
·电介质的基本概念及性质 | 第9-11页 |
·高介电常数材料研究背景及现状 | 第11-12页 |
·本课题的提出 | 第12-15页 |
·本文研究的主要内容及方法 | 第15-17页 |
第2章 CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的制备与结构及性能表征 | 第17-23页 |
·CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的制备 | 第17-20页 |
·陶瓷工艺简述 | 第17-19页 |
·CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的合成工艺流程 | 第19-20页 |
·CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的结构表征 | 第20-21页 |
·CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的测试 | 第21-23页 |
·CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷电极的制备 | 第21页 |
·介电性能的测试 | 第21-23页 |
第3章 Fe掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电性能与弛豫特性 | 第23-39页 |
·样品的制备与分析测试 | 第23-24页 |
·相结构与微观结构 | 第24-27页 |
·CCTFO陶瓷样品的介电性能 | 第27-29页 |
·复阻抗谱及等效电路 | 第29-31页 |
·CCTFO(x=0.01)陶瓷的低频介电弛豫行为 | 第31-33页 |
·变温条件下的Fe掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电性能 | 第33-37页 |
·结论 | 第37-39页 |
第4章 Sr取代降低CaOu_3Ti_4O_(12)陶瓷材料的介电损耗 | 第39-57页 |
·样品的制备 | 第39-40页 |
·相结构和显微结构 | 第40-42页 |
·CCSTO陶瓷样品的介电性能 | 第42-48页 |
·偏压下的CCGTO陶瓷样品的电学性能 | 第48-54页 |
·晶界层的能带模型 | 第48-50页 |
·偏压作用下晶界层的C-V特性 | 第50-54页 |
·结论 | 第54-57页 |
第5章 结论 | 第57-59页 |
参考文献 | 第59-65页 |
致谢 | 第65-67页 |
攻读学位期间的研究成果 | 第67页 |