溶胶—凝胶法制备Tb3+掺杂SiO2光致发光薄膜和电致发光薄膜研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-28页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·稀土发光材料 | 第10-14页 |
| ·稀土发光材料的发展历史 | 第10-12页 |
| ·稀土元素自由原子和离子的基态电子组态 | 第12-13页 |
| ·稀土离子吸收激发能量及跃迁的方式 | 第13-14页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel)的工艺介绍 | 第14-17页 |
| ·溶胶-凝胶法发展历史 | 第14-15页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel)的原理和特点 | 第15-16页 |
| ·溶胶-凝胶法制备发光薄膜 | 第16-17页 |
| ·光致发光材料及其表征方法 | 第17-20页 |
| ·光致发光材料的一些基本概念和分类 | 第17-18页 |
| ·光致发光材料的主要表征参数 | 第18-20页 |
| ·电致发光简介 | 第20-27页 |
| ·电致发光机理与特点 | 第20-21页 |
| ·无机电致发光(LED)与LED | 第21-22页 |
| ·有机电致发光显示器件(OLED) | 第22-27页 |
| ·有机电致发光的发展历史 | 第22-24页 |
| ·有机电致发光器件的发光机理和基本结构 | 第24-27页 |
| ·本论文的主要工作 | 第27-28页 |
| 第二章 实验部分 | 第28-33页 |
| ·实验设计 | 第28页 |
| ·主要原料 | 第28页 |
| ·主要仪器 | 第28-29页 |
| ·发光薄膜的制备过程 | 第29-31页 |
| ·溶胶的配制 | 第29-31页 |
| ·纯SiO_2溶胶的配制 | 第29页 |
| ·Tb~(3+)掺杂SiO_2溶胶的配制 | 第29-31页 |
| ·发光薄膜的制备 | 第31页 |
| ·用浸渍提拉法制备发光薄膜 | 第31页 |
| ·用旋转涂覆法制备发光薄膜 | 第31页 |
| ·基片清洗 | 第31-32页 |
| ·测试与表征 | 第32-33页 |
| ·薄膜厚度的测试 | 第32页 |
| ·薄膜表面粗糙度的分析 | 第32页 |
| ·薄膜的光致发光光谱和电致发光光谱分析 | 第32-33页 |
| 第三章 Tb~(3+)掺杂SiO_2光致发光薄膜 | 第33-48页 |
| ·薄膜厚度的测试 | 第33-34页 |
| ·实验结果及讨论 | 第34-47页 |
| ·薄膜表面的AFM表征 | 第34-37页 |
| ·提拉法制备薄膜的AFM表征 | 第34-36页 |
| ·旋转涂覆法制备薄膜的AFM表征 | 第36-37页 |
| ·Tb~(3+)掺杂SiO_2发光薄膜的光谱特性 | 第37-39页 |
| ·不同层数对薄膜荧光特性的影响 | 第39-40页 |
| ·退火温度对薄膜荧光特性的影响 | 第40-41页 |
| ·Tb~(3+)掺杂浓度对薄膜荧光特性的影响 | 第41-45页 |
| ·Al~(3+)掺杂浓度对薄膜荧光特性的影响 | 第45-46页 |
| ·匀胶速度对薄膜发光特性的影响 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 Tb~(3+)掺杂SiO_2电致发光薄膜 | 第48-57页 |
| ·驱动电源电路的设计 | 第48-50页 |
| ·薄膜电致发光器件的制备 | 第50-53页 |
| ·器件结构的设计 | 第50-51页 |
| ·样品的制备 | 第51-53页 |
| ·样品性能测试 | 第53-55页 |
| ·机理分析 | 第53-54页 |
| ·发光性能测试 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 附录 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
