| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-21页 |
| ·自旋电子学 | 第8-9页 |
| ·稀磁半导体与绝缘体 | 第9-17页 |
| ·稀磁半导体的研究概况 | 第9-11页 |
| ·稀磁半导体的性能与检测 | 第11-14页 |
| ·稀磁半导体、绝缘体的磁有序机理 | 第14-17页 |
| ·过渡金属掺杂AlN 薄膜研究概况 | 第17-20页 |
| ·AlN 薄膜的制备与性能 | 第17-19页 |
| ·AlN 基稀磁绝缘体研究概况 | 第19-20页 |
| ·本论文的思路及内容 | 第20-21页 |
| 第2章 实验方法 | 第21-28页 |
| ·Cr 掺杂AlN 薄膜的制备工艺 | 第21-22页 |
| ·Cr 掺杂AlN 的组织结构和成分分析 | 第22-24页 |
| ·X 射线衍射 | 第22-23页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第23页 |
| ·透射电子显微镜 | 第23页 |
| ·电感耦合等离子体发射光谱质谱仪 | 第23-24页 |
| ·X 射线荧光光谱 | 第24页 |
| ·X 射线光电子能谱 | 第24页 |
| ·Cr 掺杂AlN 的局域结构分析 | 第24-25页 |
| ·Cr 掺杂AlN 的磁性测量 | 第25-26页 |
| ·交变梯度磁强计 | 第25-26页 |
| ·振动样品磁强计 | 第26页 |
| ·Cr 掺杂AlN 的介电性能测试 | 第26-27页 |
| ·Cr 掺杂AlN 的光学性能测试 | 第27-28页 |
| 第3章 铁电基片对Cr 掺杂AlN 薄膜铁磁性影响 | 第28-40页 |
| ·样品设计与制备 | 第28-29页 |
| ·Cr 掺杂AlN 薄膜的结构与成分 | 第29-31页 |
| ·铁电基片对掺杂元素与基体原子近邻结构的影响 | 第31-34页 |
| ·铁电基片对Cr 掺杂AlN 薄膜磁性能的影响 | 第34-37页 |
| ·不同掺杂浓度Cr 掺杂AlN 薄膜的磁性 | 第34-36页 |
| ·不同铁电基片上Cr 掺杂AlN 薄膜的磁性 | 第36-37页 |
| ·铁电基片对Cr 掺杂AlN 薄膜磁性能的影响的机理讨论 | 第37-40页 |
| 第4章 材料缺陷对Cr 掺杂AlN 薄膜铁磁性影响 | 第40-58页 |
| ·样品设计与制备 | 第40-41页 |
| ·晶界断键缺陷对Cr 掺杂AlN 薄膜铁磁性的影响 | 第41-50页 |
| ·基片负偏压对Cr 掺杂AlN 薄膜结构的影响 | 第41-43页 |
| ·基片负偏压对掺杂元素与基体原子近邻结构的影响 | 第43-45页 |
| ·晶界断键缺陷诱发的介电弛豫现象 | 第45-47页 |
| ·基片负偏压对薄膜光学性能的影响 | 第47-49页 |
| ·晶界断键缺陷与薄膜磁性能的联系 | 第49-50页 |
| ·C 杂质缺陷对Cr 掺杂AlN 薄膜铁磁性的研究 | 第50-57页 |
| ·C 共掺杂对Cr 掺杂AlN 薄膜结构的影响 | 第50-53页 |
| ·C 共掺杂对掺杂元素与基体原子近邻结构的影响 | 第53-55页 |
| ·C 杂质缺陷诱发的介电弛豫现象 | 第55-56页 |
| ·C 杂质缺陷与薄膜磁性能的联系 | 第56-57页 |
| ·材料缺陷对Cr 掺杂AlN 薄膜磁性能影响小结 | 第57-58页 |
| 第5章 立方相Cr 掺杂AlN 薄膜的结构与磁性 | 第58-64页 |
| ·[TiN/Cr:AlN]多层膜的制备工艺 | 第58-59页 |
| ·[TiN/Cr:AlN]多层膜的结构表征 | 第59-63页 |
| ·立方相Cr 掺杂AlN 薄膜的磁性 | 第63-64页 |
| 第6章 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第72页 |
