摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-8页 |
引言 | 第8-11页 |
第一章:D-T反应快中子屏蔽体优化设计的蒙特卡罗模拟 | 第11-29页 |
§1.1 D-T反应快中子源综述 | 第11-14页 |
·、D-T反应加速器中子源的基本结构特点 | 第11-12页 |
·、MCNP模拟的D-T中子源模型建立 | 第12-14页 |
§1.2 D-T快中子准直屏蔽体优化设计的M-C模拟 | 第14-28页 |
·、快中子屏蔽原理 | 第14-15页 |
·、Monte Carlo模拟方法及MCNP程序简介 | 第15-16页 |
·、D-T快中子准直屏蔽体优化设计的MCNP模拟 | 第16-28页 |
§1.3 本章小结 | 第28-29页 |
第二章:用于治疗的准直屏蔽体设计及准直中子束特性研究 | 第29-38页 |
§2.1 准直屏蔽体设计方案 | 第29-31页 |
§2.2 屏蔽效果计算 | 第31-32页 |
§2.3 准直束特性计算 | 第32-37页 |
·、中子束平均注量率分布和平均能谱 | 第33-35页 |
·、中子束中光子平均注量率分布和平均能谱 | 第35-36页 |
·、中子束在水箱表面吸收剂量等剂量分布线 | 第36-37页 |
§2.4 本章小结 | 第37-38页 |
第三章:准直束在组织等效水箱中的吸收剂量研究 | 第38-55页 |
§3.1 放射治疗学与辐射剂量学中的基本问题 | 第38-43页 |
·、放射治疗学与中子辐射剂量学相关名词 | 第39-40页 |
·、等效人体组织的选择 | 第40-41页 |
·、吸收剂量计算方法 | 第41-43页 |
§3.2 组织等效水箱中吸收剂量的M-C模拟计算及分析 | 第43-54页 |
·、水箱中中子束中心轴上中子和光子吸收剂量深度分布 | 第43-47页 |
·、水箱中不同深度处中子和光子吸收剂量的横向分布 | 第47-51页 |
·、半影宽及50%离轴比宽度分析 | 第51-52页 |
·、中子束辐射场均整度分析 | 第52-54页 |
§3.3 本章小结 | 第54-55页 |
第四章 总结及分析 | 第55-57页 |
参考文献 | 第57-60页 |
致谢 | 第60-61页 |
发表文章及成果 | 第61-62页 |
附录:第二、三章使用的MCNP计算程序 | 第62-80页 |