| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·研究背景 | 第9-10页 |
| ·研究方法 | 第10-11页 |
| ·双原子分子势能函数的研究方法 | 第10页 |
| ·外电场下分子激发态的研究方法 | 第10-11页 |
| ·本课题研究的主要内容 | 第11-13页 |
| ·SiO 分子基态和激发态势能函数 | 第11-12页 |
| ·SiO 分子外电场效应 | 第12页 |
| ·SiO_2分子外电场效应 | 第12-13页 |
| 第二章 分子势能函数和外电场下分子激发态基本理论 | 第13-27页 |
| ·分子势能函数基本原理 | 第13-16页 |
| ·原子分子反应静力学基本原理 | 第13-14页 |
| ·分子电子状态和离解极限确定方法 | 第14-16页 |
| ·双原子分子势能函数基本原理 | 第16-20页 |
| ·双原子分子势能曲线的形式 | 第16-17页 |
| ·理想双原子分子势能函数的性质 | 第17页 |
| ·力常数和光谱常数 | 第17-18页 |
| ·Murrell-Sorbie 势能函数 | 第18-20页 |
| ·密度泛函理论 | 第20-22页 |
| ·对称性匹配簇/对称性匹配簇-组态相互作用方法 | 第22-24页 |
| ·SAC/SAC-CI 方法的基本原理 | 第22-24页 |
| ·SAC/SAC-CI 程序的特点 | 第24页 |
| ·外电场下分子激发态 | 第24-27页 |
| 第三章 一氧化硅分子基态和激发态势能函数 | 第27-33页 |
| ·前言 | 第27页 |
| ·DFT 对一氧化硅分子基态势能函数的研究 | 第27-30页 |
| ·基组的优选 | 第27-28页 |
| ·SiO 分子基态Murrell-Sorbie 函数 | 第28-30页 |
| ·结论 | 第30页 |
| ·SAC-CI 对一氧化硅分子激发态势能函数的研究 | 第30-33页 |
| ·基组的优选 | 第30页 |
| ·SiO 分子激发态Murrell-Sorbie 函数 | 第30-32页 |
| ·结论 | 第32-33页 |
| 第四章 一氧化硅分子外电场效应 | 第33-39页 |
| ·前言 | 第33-34页 |
| ·无外电场时一氧化硅分子的吸收与辐射特性 | 第34页 |
| ·外电场对一氧化硅分子电偶极矩和能隙的影响 | 第34-35页 |
| ·外电场对一氧化硅分子激发态的影响 | 第35-38页 |
| ·结论 | 第38-39页 |
| 第五章 二氧化硅分子外电场效应 | 第39-45页 |
| ·前言 | 第39-40页 |
| ·无外电场时二氧化硅分子的吸收与辐射特性 | 第40页 |
| ·外电场对二氧化硅分子轨道能级分布的影响 | 第40-42页 |
| ·外电场对二氧化硅分子激发态的影响 | 第42-44页 |
| ·结论 | 第44-45页 |
| 总结 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第53页 |
