| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·铁电薄膜 | 第9-16页 |
| ·常用铁电薄膜材料 | 第9-12页 |
| ·铁电薄膜的制备技术 | 第12-14页 |
| ·铁电薄膜的应用 | 第14-16页 |
| ·铋层状结构铁电薄膜掺杂改性研究进展 | 第16-18页 |
| ·本文研究的意义及其内容 | 第18-19页 |
| 第二章 BIT及其Nb掺杂BTN陶瓷靶材和薄膜的性能测试 | 第19-25页 |
| ·X射线衍射分析及晶粒尺寸计算 | 第19页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第19-20页 |
| ·烧结体相对密度(致密度)测试 | 第20-21页 |
| ·介电性能测试 | 第21页 |
| ·铁电性能测试 | 第21-23页 |
| ·压电性能研究 | 第23-24页 |
| ·C-V特性测试 | 第24-25页 |
| 第三章 BIT铁电陶瓷的制备及性能研究 | 第25-44页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·BIT陶瓷的制备工艺与方法 | 第25-26页 |
| ·BIT实验用主要原料及工艺流程 | 第25页 |
| ·实验用主要设备 | 第25-26页 |
| ·BIT粉体的合成 | 第26-29页 |
| ·XRD分析 | 第27页 |
| ·SEM分析 | 第27-29页 |
| ·烧结工艺对BIT陶瓷结构和性能的影响 | 第29-39页 |
| ·烧结温度对BIT陶瓷的影响 | 第29-33页 |
| ·烧结时间对BIT陶瓷的影响 | 第33-36页 |
| ·升温速率对BIT陶瓷的影响 | 第36-39页 |
| ·成型压力对BIT陶瓷的影响 | 第39-42页 |
| ·结论 | 第42-44页 |
| 第四章 BTN铁电陶瓷的制备及性能研究 | 第44-54页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·BTN陶瓷的制备 | 第44-45页 |
| ·BTN陶瓷的性能研究 | 第45-52页 |
| ·BTN陶瓷的烧结行为 | 第45-46页 |
| ·BTN陶瓷的物相形为 | 第46-47页 |
| ·BTN陶瓷的显微结构 | 第47页 |
| ·BTN陶瓷的介电性能 | 第47-49页 |
| ·BTN陶瓷的铁电性能 | 第49-51页 |
| ·BTN陶瓷的压电性能 | 第51-52页 |
| ·结论 | 第52-54页 |
| 第五章 BTN薄膜制备工艺流程 | 第54-61页 |
| ·射频磁控溅射镀膜装置及原理 | 第54-57页 |
| ·辉光放电 | 第54-56页 |
| ·磁控溅射 | 第56-57页 |
| ·射频溅射 | 第57页 |
| ·反应性溅射 | 第57页 |
| ·实验用陶瓷材料 | 第57页 |
| ·Si基板清洗 | 第57-58页 |
| ·实验过程 | 第58-59页 |
| ·溅射工艺条件 | 第59-60页 |
| ·退火处理条件 | 第60-61页 |
| 第六章 BIT及其Nb掺杂BTN铁电薄膜的结构与性能研究 | 第61-80页 |
| ·退火温度对BIT薄膜结构和性能的影响 | 第61-69页 |
| ·退火温度对BIT薄膜晶相结构的影响 | 第61-62页 |
| ·退火温度对BIT薄膜晶粒尺寸和表面形貌的影响 | 第62-63页 |
| ·退火温度对BIT薄膜介电性能的影响 | 第63-64页 |
| ·退火温度对BIT薄膜铁电性能的影响 | 第64-69页 |
| ·Nb掺杂对BTN薄膜微观结构和性能的影响 | 第69-78页 |
| ·Nb掺杂对BTN薄膜晶相结构的影响 | 第69-70页 |
| ·Nb掺杂对BTN薄膜微观结构和表面形貌的影响 | 第70-71页 |
| ·Nb掺杂对BTN薄膜介电性能的影响 | 第71-72页 |
| ·Nb掺杂对BTN薄膜铁电性能的影响 | 第72-73页 |
| ·Nb掺杂对BTN薄膜C-V特性的影响 | 第73-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 第七章 总结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 作者在攻读硕士期间主要研究成果 | 第86页 |