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硅锗团簇生长模式和金属/氧气反应机理的理论计算研究

提要第1-9页
第一章 绪论第9-15页
   ·原子团簇的定义第9-10页
   ·原子团簇的发展现状第10-11页
   ·硅锗团簇的研究进展简介第11-12页
   ·论文课题选择,研究目的和研究内容第12-15页
第二章 理论基础和计算方法第15-43页
   ·Schr(o|¨)dinger 方程第15-16页
   ·分子轨道理论第16-20页
     ·闭壳层分子的Hartree-Fock-Roothann 方程第17-18页
     ·开壳层分子的Hartree-Fock-Roothann 方程第18-20页
   ·电子相关问题第20-28页
     ·物理图像第20-21页
     ·电子相关能第21-22页
     ·微扰方法(M?ller-Plesset Perturbation Method)第22-24页
     ·组态相互作用方法(Configuration Interaction Method)第24-26页
     ·耦合簇方法(Coupled Cluster Method)第26-28页
   ·密度泛函理论(Density Functional Theory)第28-30页
   ·平面波展开的第一性原理赝势法第30-31页
   ·基于紧束缚(Tight-Binding) 势的遗传算法(Genetic Algorithm)第31-33页
   ·势能面(Potential Energy Surface)第33-35页
   ·内禀反应坐标理论(Intrinsic Reaction Coordinate Theory)第35-36页
   ·基组的选择第36-38页
   ·振动频率第38-39页
   ·计算结果分析第39-43页
     ·总能量第39页
     ·稳定几何第39-43页
第三章 Si_n与Ge_n(25 ≤n ≤33) 团簇生长模式的比较第43-69页
   ·引言第43-45页
   ·计算方法第45-48页
   ·结果和讨论第48-64页
     ·Si_n 与Ge_n (25 ≤n ≤28) 团簇的最稳定结构第48-50页
     ·Si_n 与Ge_n (29 ≤n ≤33) 团簇的低能量结构第50-60页
     ·相对稳定性第60-64页
   ·本章小结第64-69页
第四章 Ge_n (2 ≤n ≤33)团簇解离行为的研究第69-85页
   ·引言第69-70页
   ·计算方法第70-71页
   ·结果和讨论第71-82页
     ·几何结构第71-74页
     ·稳定性第74-79页
     ·解离行为第79-82页
   ·本章小结第82-85页
第五章 Si_(70)团簇的理论研究第85-99页
   ·引言第85-87页
   ·计算方法第87-88页
   ·结果和讨论第88-98页
     ·几何结构与相对稳定性第88-92页
     ·电子性质第92-95页
     ·离子迁移率第95-98页
   ·本章小结第98-99页
第六章 Ti,Na 与O_2反应机理的理论研究第99-115页
   ·引言第99页
   ·计算方法第99-100页
   ·结果和讨论第100-114页
     ·Na 与O_2 反应第100-104页
     ·Ti 与O_2 反应第104-108页
     ·Ti 与O_2 反应的势能面第108-114页
       ·Ti+O_2 的反应势能面第109-111页
       ·(Ti+O_2)–的反应势能面第111-114页
       ·(Ti+O_2 与(Ti+O_2)–反应势能面的对比第114页
   ·本章小结第114-115页
参考文献第115-140页
博士期间发表论文情况第140-141页
致谢第141-142页
摘要第142-145页
Abstract第145-147页

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