| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| ·信息显示技术 | 第9-13页 |
| ·阴极射线管(Cathode Ray Tubes，CRT)显示器 | 第9-10页 |
| ·平板显示器(Flat Panel Display，FPD) | 第10-13页 |
| ·场发射理论 | 第13-19页 |
| ·冷阴极场发射材料 | 第19-22页 |
| ·高温难熔金属微尖 | 第19-20页 |
| ·金刚石薄膜 | 第20-21页 |
| ·纳米材料 | 第21-22页 |
| ·本文依据、研究内容及项目来源 | 第22-24页 |
| ·本文的选题依据 | 第22-23页 |
| ·本文的研究内容 | 第23页 |
| ·本课题项目来源 | 第23-24页 |
| 2 SiC 纳米材料的场发射性能研究 | 第24-48页 |
| ·实验所用的仪器设备和主要原料 | 第24-25页 |
| ·主要实验仪器设备 | 第24-25页 |
| ·制备SiC 纳米材料的主要原料及辅助材料 | 第25页 |
| ·SiC 纳米材料的制备及场发射性能测试 | 第25-26页 |
| ·SiC 米材料的制备 | 第25-26页 |
| ·SiC 米材料的分析测试方法 | 第26页 |
| ·SiC 纳米材料的场发射性能测试 | 第26-29页 |
| ·场发射性能测试装置 | 第26-28页 |
| ·超高真空系统 | 第28页 |
| ·场发射特性测试步骤 | 第28-29页 |
| ·评价参数 | 第29页 |
| ·不同形貌SiC 纳米材料的场发射性能 | 第29-40页 |
| ·任意分布SiC 纳米线的场发射性能 | 第29-32页 |
| ·卷曲SiC 纳米线的场发射性能 | 第32-34页 |
| ·光滑SiC 纳米线的场发射性能 | 第34-37页 |
| ·有刺SiC 纳米线的场发射性能 | 第37-40页 |
| ·真空度、温度对有刺 SiC 纳米线场发射性能的影响 | 第40-46页 |
| ·真空度对有刺 SiC 纳米线场发射性能的影响 | 第40-43页 |
| ·温度对有刺 SiC 纳米线场发射性能的影响 | 第43-46页 |
| ·有刺 SiC 纳米线的场发射稳定性 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 3 任意分布SiC纳米线的纯化工艺研究 | 第48-60页 |
| ·任意分布SiC 纳米线的纯化实验过程 | 第48-49页 |
| ·超声预处理 | 第48页 |
| ·高温加热处理 | 第48-49页 |
| ·酸化处理 | 第49页 |
| ·任意分布SiC 纳米材料纯化工艺的讨论 | 第49-56页 |
| ·高温加热处理温度 | 第49-50页 |
| ·高温加热处理时间 | 第50-55页 |
| ·酸化处理 | 第55-56页 |
| ·纯化过程中任意分布SiC 纳米线的微观结构分析 | 第56-57页 |
| ·纯化后任意分布SiC 纳米线的场发射性能 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 4 SiC 纳米线的定位生长及场发射发光器件的研制 | 第60-66页 |
| ·SiC 纳米线的定位生长 | 第60-63页 |
| ·定位生长SiC 纳米线 | 第60-62页 |
| ·场致发光性能测试 | 第62-63页 |
| ·场发射发光器件的研制 | 第63-65页 |
| ·冷阴极发光器件雏形的研制 | 第63页 |
| ·场发射发光器件的研制 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 总结与展望 | 第66-68页 |
| 1 总结 | 第66页 |
| 2 展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及获奖目录 | 第74-75页 |
