| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·半导体超晶格 | 第9-11页 |
| ·量子阱和超晶格结构中等离激元的研究 | 第11-13页 |
| ·左手材料 | 第13-18页 |
| ·本文研究的目的和内容 | 第18-19页 |
| 第2章 含包覆层半无限超晶格结构中等离激元性质的研究 | 第19-31页 |
| ·引言 | 第19-20页 |
| ·模型与公式 | 第20-23页 |
| ·数值结果与分析 | 第23-29页 |
| ·包覆层为右手材料 | 第23-27页 |
| ·包覆层为左手材料 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第3章 含Thue-Morse 缺陷超晶格中光输运性质的研究 | 第31-40页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·模型与公式 | 第32-35页 |
| ·数值结果与分析 | 第35-39页 |
| ·TM 由右手材料组成 | 第35-37页 |
| ·TM 由左右手材料组成 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 结论 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 附录A 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第51页 |