| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| ·半导体材料的简介 | 第12-14页 |
| ·纳米材料的简介 | 第14-22页 |
| ·纳米材料的历史简介 | 第14-20页 |
| ·纳米材料的类型 | 第20-21页 |
| ·纳米材料的特性 | 第21-22页 |
| ·InN 的研究进展 | 第22-29页 |
| ·InN 的基本特征 | 第22-25页 |
| ·InN 的基本物性 | 第25-26页 |
| ·InN 在国内外的研究现状和进展 | 第26-29页 |
| ·论文选题的意义和论文研究的目的 | 第29-32页 |
| ·论文研究的主要内容 | 第32-34页 |
| 第二章 一维 InN 半导体纳米材料的合成与表征 | 第34-85页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·实验装置 | 第34-35页 |
| ·InN 纳米线、纳米棒和纳米管等各种纳米结构的合成 | 第35-37页 |
| ·表征仪器 | 第37-38页 |
| ·测试结果 | 第38-85页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第38-43页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第43-55页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第55-61页 |
| ·高分辨扫描电子显微镜（HR-SEM） | 第61-77页 |
| ·高分辨透射电子显微镜（HR-TEM） | 第77-85页 |
| 第三章 一维 InN 半导体纳米材料的物性研究 | 第85-92页 |
| ·引言 | 第85页 |
| ·表征仪器 | 第85-86页 |
| ·傅里叶变换红外光谱（FTIR） | 第86-87页 |
| ·紫外-可见吸收光谱（UV-VIS） | 第87-88页 |
| ·荧光光谱（FS） | 第88-90页 |
| ·拉曼光谱（RS） | 第90-92页 |
| 第四章 一维 InN 半导体纳米材料的高压研究 | 第92-100页 |
| ·引言 | 第92页 |
| ·高压下物质的特殊性质 | 第92-93页 |
| ·高压表征仪器简介 | 第93-96页 |
| ·测试结果 | 第96-100页 |
| 第五章 结论与展望 | 第100-102页 |
| ·主要结论 | 第100-101页 |
| ·未来展望 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-112页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第112-113页 |
| 作者简介 | 第113-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |