元素掺杂及半导体复合修饰氮化碳的制备及其光催化性能研究

摘要第6-7页
Abstract第7-13页
第1章绪论第13-24页
    1.1研究背景第13页
    1.2光催化技术第13-16页
        1.2.1光催化技术的基本概念第13页
        1.2.2光催化技术的发展第13-14页
        1.2.3半导体光催化剂的光催化过程和原理第14-15页
        1.2.4影响半导体光催化剂活性的因素第15-16页
    1.3石墨相氮化碳(g-C3N4)光催化剂第16-22页
        1.3.1g-C3N4的发展第16-17页
        1.3.2g-C3N4的结构和基本性质第17-18页
        1.3.3g-C3N4的制备第18-19页
        1.3.4g-C3N4的应用第19-20页
        1.3.5g-C3N4的改性第20-22页
    1.4选题意义和研究内容第22-24页
第2章实验部分第24-29页
    2.1试剂及设备第24-25页
        2.1.1主要试剂第24-25页
        2.1.2主要设备及仪器第25页
    2.2实验方法第25-29页
        2.2.1催化剂的表征第25-27页
        2.2.2光催化活性评价第27-29页
第3章钾/磷掺杂氮化碳的制备及其光催化性能研究第29-43页
    3.1引言第29-30页
    3.2催化剂的制备第30页
    3.3结果与讨论第30-35页
        3.3.1形态和结构第30-33页
        3.3.2催化剂的光学和电化学性能第33-35页
        3.3.3光催化产氢测试第35页
    3.4K-P共掺杂CN的制备及光催化性能研究第35-41页
        3.4.1形态和结构分析第36-39页
        3.4.2催化剂的光学和电化学性能第39-41页
        3.4.3光催化产氢测试第41页
    3.5本章小结第41-43页
第4章磷掺杂氮化碳的制备及其光催化性能研究第43-52页
    4.1引言第43-44页
    4.2催化剂的制备第44页
    4.3结果与讨论第44-51页
        4.3.1结构表征第44-47页
        4.3.2催化剂的光吸收性和光电响应性能第47-50页
        4.3.3光催化活性测试第50-51页
    4.4本章小结第51-52页
第5章Ni2P/g-C3N4复合材料的制备及其光催化性能研究第52-62页
    5.1引言第52-53页
    5.2催化剂的制备第53页
    5.3结果与讨论第53-60页
        5.3.2催化剂的光学和电化学性能第57-59页
        5.3.3光催化产氢测试第59-60页
        5.3.4光催化机理研究第60页
    5.4本章小结第60-62页
结论与展望第62-64页
参考文献第64-72页
攻读学位期间成果第72-73页
致谢第73页

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