| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-28页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 半导体光催化概述 | 第9-13页 |
| 1.2.1 半导体光催化技术的基本原理 | 第9-10页 |
| 1.2.2 半导体光催化材料的发展历程 | 第10-13页 |
| 1.3 光催化CO_2还原 | 第13-17页 |
| 1.3.1 光催化CO_2还原概述 | 第13-14页 |
| 1.3.2 光催化CO_2还原基本原理 | 第14-16页 |
| 1.3.3 光催化CO_2还原研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 SrTiO_(3-x)半导体材料 | 第17-24页 |
| 1.4.1 SrTiO_3半导体材料及氧空位概述 | 第17-19页 |
| 1.4.2 SrTiO_(3-x)半导体材料的合成方法与性质 | 第19-23页 |
| 1.4.3 SrTiO_(3-x)半导体材料的光催化CO_2还原性质 | 第23-24页 |
| 1.5 表面碱性化处理概述 | 第24-25页 |
| 1.6 本课题的研究内容和意义 | 第25-28页 |
| 第2章 实验材料及研究方法 | 第28-32页 |
| 2.1 实验试剂及仪器 | 第28-29页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第28页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第28-29页 |
| 2.2 样品表征方法 | 第29-32页 |
| 2.2.1 物相与组成分析 | 第29页 |
| 2.2.2 光物理性质分析 | 第29-30页 |
| 2.2.3 形貌与成分分析 | 第30页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱 | 第30页 |
| 2.2.5 电子顺磁共振 | 第30页 |
| 2.2.6 光催化CO_2解离性能评价 | 第30-32页 |
| 第3章 羟基修饰的氧缺陷型钛酸锶二氧化碳光解离性质 | 第32-50页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 羟基修饰的SrTiO_(3-x)的制备 | 第33-34页 |
| 3.3 羟基修饰SrTiO_(3-x)样品的基本表征 | 第34-36页 |
| 3.4 表面碱性化SrTiO_3?x的CO_2解离性质的研究 | 第36-41页 |
| 3.5 羟基修饰SrTiO_(3-x)样品的CO_2解离机制研究 | 第41-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 全文结论及展望 | 第50-52页 |
| 4.1 全文结论 | 第50-51页 |
| 4.2 全文创新点 | 第51页 |
| 4.3 展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-62页 |
| 发表专利和参加科研情况说明 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
