| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-52页 |
| ·纳米材料概述 | 第14-18页 |
| ·纳米材料性能简介 | 第14-16页 |
| ·纳米材料表征 | 第16-18页 |
| ·纳米材料的分类 | 第18页 |
| ·半导体纳米晶 | 第18-24页 |
| ·量子点中的能带 | 第18-23页 |
| ·量子点的种类 | 第23-24页 |
| ·溶胶量子点 | 第24-38页 |
| ·溶胶量子点的生长机理 | 第24-31页 |
| ·溶胶量子点的光学性质 | 第31-34页 |
| ·溶胶量子点的应用 | 第34-38页 |
| ·本论文的选题依据和创新点 | 第38-42页 |
| ·选题依据 | 第38-40页 |
| ·研究内容和创新点 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-52页 |
| 第二章 III-VI 族的In 硫族化合物半导体纳米晶的合成及其性能研究 | 第52-74页 |
| ·In_2S_3 纳米晶的合成，光学性能和生长过程的研究 | 第53-62页 |
| ·实验部分 | 第53-54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| ·In-Se 纳米晶的合成，光学性能和相变过程的研究 | 第62-69页 |
| ·实验部分 | 第62-63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-69页 |
| ·小结 | 第69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 第三章 IV-VI 族的SnS，SnSe 层状晶体结构半导体纳米晶的合成及其性能研究 | 第74-116页 |
| ·Sn_6O_4(OH)_4 的合成及其特性的研究 | 第75-82页 |
| ·实验部分 | 第75-76页 |
| ·结果与讨论 | 第76-77页 |
| ·Sn_6O_4(OH)_4 的稳定性研究 | 第77-81页 |
| ·小结 | 第81-82页 |
| ·SnS 纳米晶的合成及其性质的研究 | 第82-95页 |
| ·实验部分 | 第82-83页 |
| ·结果与讨论 | 第83-94页 |
| ·小结 | 第94-95页 |
| ·IV-VI 族的SnSe 纳米晶的合成和性能的研究 | 第95-111页 |
| ·实验部分 | 第95-96页 |
| ·结果与讨论 | 第96-111页 |
| ·小结 | 第111页 |
| ·本章小结 | 第111-113页 |
| 参考文献: | 第113-116页 |
| 第四章 SnTe 纳米晶的合成和定向聚集过程的研究 | 第116-130页 |
| ·实验部分 | 第117-118页 |
| ·实验原料 | 第117页 |
| ·实验过程 | 第117页 |
| ·仪器表征 | 第117-118页 |
| ·结果与讨论 | 第118-125页 |
| ·结构和形貌的表征 | 第118-124页 |
| ·SnTe 纳米线形成机理的讨论 | 第124-125页 |
| ·本章小结 | 第125-126页 |
| 参考文献 | 第126-130页 |
| 第五章 结论 | 第130-132页 |
| 攻读博士学位期间发表的文章 | 第132-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
| 作者简历 | 第136页 |
