| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 QD材料特性 | 第11-19页 |
| 1.3 基于QD薄膜的电子与光电器件 | 第19-26页 |
| 1.4 PbS QD在光电应用中的最新进展 | 第26-34页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第34-35页 |
| 2 PbS QD光电器件制备及表征 | 第35-47页 |
| 2.1 PbS QD的合成 | 第35-36页 |
| 2.2 PbS QD材料表征 | 第36-41页 |
| 2.3 PbS QD复合光电器件的制备 | 第41-43页 |
| 2.4 器件性能表征 | 第43-46页 |
| 2.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 3 可穿戴PbS QD/MWCNT心率探测器 | 第47-61页 |
| 3.1 PbS QD/MWCNT复合结构的制备 | 第47-52页 |
| 3.2 PbS QD/MWCNT器件探测性能研究 | 第52-55页 |
| 3.3 PbS QD/MWCNT器件响应度和比探测率 | 第55-57页 |
| 3.4 PbS QD/MWCNT器件柔性性能研究 | 第57-58页 |
| 3.5 可穿戴心率探测应用研究 | 第58-60页 |
| 3.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 4 可区分波长PbS QD/SnS_2 NS探测器 | 第61-87页 |
| 4.1 PbS QD/SnS_2 NS器件制备 | 第62-68页 |
| 4.2 PbS QD/SnS_2 NS器件的正负光电响应 | 第68-71页 |
| 4.3 PbS QD/SnS_2 NS器件的光电探测性能 | 第71-75页 |
| 4.4 正负光电响应的机理研究 | 第75-84页 |
| 4.5 探测应用：白光LED色温区分 | 第84-86页 |
| 4.6 本章小结 | 第86-87页 |
| 5 高性能PbS QD/Q2DPVKLED | 第87-113页 |
| 5.1 PbS QD/Q2DPVK量子阱薄膜制备 | 第88-92页 |
| 5.2 PbS QD/Q2DPVK薄膜结构表征 | 第92-100页 |
| 5.3 PbS QD/Q2DPVK薄膜的光学性能 | 第100-107页 |
| 5.4 基于PbS QD/Q2DPVK薄膜的NIRLED | 第107-111页 |
| 5.5 本章小结 | 第111-113页 |
| 6 总结与展望 | 第113-116页 |
| 6.1 研究内容总结 | 第113-114页 |
| 6.2 主要创新点 | 第114-115页 |
| 6.3 对进一步研究的展望 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-135页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的论文 | 第135-137页 |
