| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第12-17页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第12-13页 |
| 1.2 研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 2 一种新型高降压比DC-DC变换器 | 第17-26页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 电路拓扑结构的提出 | 第17-19页 |
| 2.2.1 电路结构分析 | 第17页 |
| 2.2.2 工作原理分析 | 第17-19页 |
| 2.3 变换器电路稳态分析 | 第19-24页 |
| 2.3.1 工作状态分析 | 第19-22页 |
| 2.3.2 输出特性分析 | 第22-24页 |
| 2.4 试验结果分析与验证 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 一种新型高降压比DC-DC多电平输出拓扑电路 | 第26-37页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 新型DC-DC变换器的电路分析 | 第26-28页 |
| 3.2.1 主电路拓扑 | 第26-27页 |
| 3.2.2 新型拓扑原理分析 | 第27-28页 |
| 3.3 新型DC-DC变换器的电路稳态分析 | 第28-33页 |
| 3.3.1 单路工作状态分析 | 第28-30页 |
| 3.3.2 单路输出特性分析 | 第30-32页 |
| 3.3.3 多路输出特性分析 | 第32-33页 |
| 3.4 系统仿真及试验验证 | 第33-36页 |
| 3.4.1 系统仿真验证 | 第33-35页 |
| 3.4.2 系统实验验证 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 4 基于SiC器件的高效高输出电压增益LCC谐振变换器拓扑技术研究 | 第37-57页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 典型应用的性能指标 | 第37-38页 |
| 4.3 SiC器件发展现状 | 第38-40页 |
| 4.3.1 SiC器件的优势 | 第38-39页 |
| 4.3.2 SiC器件未来发展的趋势 | 第39-40页 |
| 4.4 LCC电路拓扑 | 第40-45页 |
| 4.4.1 电路结构 | 第40页 |
| 4.4.2 工作原理分析 | 第40-44页 |
| 4.4.3 数学模型分析 | 第44-45页 |
| 4.5 实验验证 | 第45-56页 |
| 4.5.1 驱动管选型 | 第45-48页 |
| 4.5.2 电路设计 | 第48-51页 |
| 4.5.3 变压器设计 | 第51-55页 |
| 4.5.4 实验结果分析 | 第55-56页 |
| 4.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 5 基于GaN器件的高功率密度数控非并网逆变器的设计 | 第57-73页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 技术方案 | 第57-59页 |
| 5.2.1 采样部分 | 第57-58页 |
| 5.2.2 主电路部分 | 第58页 |
| 5.2.3 结构部分 | 第58页 |
| 5.2.4 控制部分 | 第58-59页 |
| 5.3 电路设计 | 第59-66页 |
| 5.3.1 主电路仿真 | 第59-60页 |
| 5.3.2 GaN管驱动电路 | 第60-61页 |
| 5.3.3 采样电路 | 第61-63页 |
| 5.3.4 辅助电源电路 | 第63页 |
| 5.3.5 控制电路 | 第63-65页 |
| 5.3.6 保护电路 | 第65-66页 |
| 5.4 软件设计 | 第66-68页 |
| 5.5 变换器结构设计 | 第68-70页 |
| 5.5.1 PCB结构布局 | 第68-69页 |
| 5.5.2 设计外观及尺寸 | 第69-70页 |
| 5.6 样机测试 | 第70-72页 |
| 5.6.1 空载测试 | 第70-71页 |
| 5.6.2 正弦逆变测试 | 第71-72页 |
| 5.7 本章小结 | 第72-73页 |
| 6 工作总结与展望 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第79-80页 |
| 一、学术论文及已出版的专著 | 第79页 |
| 二、主要科研、获奖 | 第79页 |
| 三、专利 | 第79-80页 |
| 四、其他成果 | 第80页 |